Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Условия устойчивого переключения в ячейках памяти на фазовых переходах

Попов А.И.¹, Сальников С.М.^1,2, Ануфриев Ю.В.^1,2

¹Национальный исследовательский университет "МЭИ", Москва, Россия National Research University «Moscow Power Engineering Institute», Moscow, Russia

National Research University «Moscow Power Engineering Institute», Moscow, Russia

²Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Nanotechnology of Microelectronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Nanotechnology of Microelectronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 4 сентября 2014 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

PDF версия

Разработаны и реализованы три типа ячеек энергонезависимой памяти различных конструкций на фазовых переходах. Рассмотрено влияние конструктивных особенностей ячеек и размеров активной области на характеристики переключения и работоспособность ячеек в целом. Причины отказов ячеек анализировались путем получения серии растровых электронных изображений при послойном травлении образцов. Показано, что с точки зрения переключения в высокоомное состояние конструкция ячейки является наиболее критическим фактором. Проанализированы причины этого и сформулирован критерий для обеспечения устойчивой работы ячеек энергонезависимой памяти на фазовых переходах.

A. Kolobov, J. Tominaga. Chalcogenides: Metastability and Phase Change Phenomena [ Springer Series in Materials Science (2012) v. 164]
Б.Т. Коломиец, Э.А. Лебедев. Радиотехника и электроника, 8, 2097 (1963)
S.R. Ovshinsky. Phys. Rev. Lett., 21 (20), 1450 (1968)
S.R. Ovshinsky. J. Non-Cryst. Sol., 2, 99 (1970)
A. Popov. Phys. Status Solidi B, 246 (8), 1837 (2009)
А.А. Айвазов, Б.Г. Будагян, С.П. Вихров, А.И. Попов. Неупорядоченные полупроводники (М., Изд-во МЭИ, 1995)
Г.Б. Наумов, Б.Н. Рыженко, И.Л. Ходаковский. Справочник термодинамических величин (Атомиздат, 1971)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1978)
A.I. Popov. Disordered Semiconductors (Pan Stanford Publishing Pte. Ltd, 2012)
Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин. ФТП, 46 (5), 588 (2012)
S. Kostylev. J. Optoelectron. Adv. Mater., 11 (12), 1972 (2009)
D.L. Kencke, I.V. Karpov, B.G. Johnson, S.J. Lee, D.C. Kau, S.J. Hudgens, J.P. Reifenberg, S.D. Savransky, J. Zhang, M.D. Giles, G. Spadini. IEDM Tech. Dig. (Dec. 2007) p. 323

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель