"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Образование "квазимолекул" S2 в кремнии, легированном серой
Шуман В.Б.1, Порцель Л.М.1, Лодыгин А.Н.1, Астров Ю.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 сентября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

Исследована кинетика образования комплекса S2 в кремнии, легированном серой. Показано сходство процесса образования "квазимолекул" халькогена в Si : S и Si : Se. Разница состоит в величине энергии связи в "квазимолекуле" --- для S2 она в 1.5 раза ниже, чем для комплекса Se2.
  • E. Janzen, R. Stedman, G. Grossmann, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 29, 1907 (1984)
  • S.D. Brotherton, M.J. Kling, G.J. Parker. J. Appl. Phys., 52, 4649 (1981)
  • А.А. Таскин, Е.Г. Тишковский. ФТП, 32, 1306 (1998)
  • А.А. Таскин, Е.Г. Тишковский. ФТП, 36, 641 (2002)
  • Yu.A. Astrov, L.M. Portsel, A.N. Lodygin, V.B. Shuman. Semicond. Sci. Technol., 26, 055 021 (2011)
  • Ю.А. Астров, S.A. Lynch, В.Б. Шуман, Л.М. Порцель, А.А. Махова, А.Н. Лодыгин. ФТП, 47, 211 (2013).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.