Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Анализ релаксации фототока полуизолирующего GaAs в области температур 150-200 K

Одринский А.П.¹

¹Институт технической акустики НАН Беларуси, Витебск, Беларусь Institute of Technical Acoustics, National Academy of Sciences of Belarus, Vitebsk, Belarus

Institute of Technical Acoustics, National Academy of Sciences of Belarus, Vitebsk, Belarus

Поступила в редакцию: 5 февраля 2014 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрены особенности регистрации вклада характерного собственного дефекта полуизолирующего GaAs в релаксацию фототока. Представлен подробный анализ кинетики релаксации на основе аппроксимации суммой экспоненциальных составляющих. Результаты сравниваются с данными фотоэлектрической релаксационной спектроскопии.

G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea. Electron. Lett., 13 (7), 191 (1977)
Ch. Hurter, M. Boilou, A. Mitonneau, D. Bois. Appl. Phys. Lett., 32, 821 (1978)
J.C. Bourgoin, H.J. von Bardeleben, D. Stievenard. J. Appl. Phys., 64, 65 (1988)
J.C. Abele, R.E. Kremer, J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 62 (6), 2432 (1987)
Jun Xia, Andreas Mandelis. Semicond. Sci. Technol., 24, 125 002 (2009)
E.I. Shmelev, A.V. Klyuev, A.V. Yakimov. Fluctuation and Noise Lett., 12, 1350 008 (2013)
E.G. Seebauer, M.C. Kratzer. Charged Semiconductor Defects (London, Springer Verlag, 2009)
D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
A. Chantre, G. Vincent, D. Bois. Phys. Rev. B, 23, 5335 (1981)
K. Yasutake, H. Kakaiuchi, A. Takeuchi, K. Yoshii, H. Kawabe. J. Mater. Sci. Mater. Electron., 8, 239 (1997)
J.S.P. Maria Brasil, P. Motisuke. J. Appl. Phys., 68 (7), 3370 (1990)
P.K. Giri, Y.N. Mohapatra. J. Appl. Phys., 78 (l), 262 (1995)
C. Longeaud, J.P. Kleider, P. Kaminski, R. Kozlowski, M. Pawlowski, J. Cwirko. Semicond. Sci. Technol., 14, 747 (1999)
A. Castaldini, A. Cavallini, L. Polenta, C. Canali, F. Nava. Proc. 5th Eur. Gallium Arsenide and related III-V compaunds Applications Simpos. (Bologna, Italy, 1997) p. 315
C.V. Reddy, Y.L. Luo, S. Fung, C.D. Beling. Phys. Rev. B, 58, 1358 (1998)
И.А. Давыдов, А.П. Одринский. Деп. в ВИНИТИ 27.06.90, N 6285-B90 (М., 1990)
A.A. Istratov, O.F. Vyvenko, H. Hieslmair, E.R. Weber. Meas. Sci. Technol., 9, 477 (1998)
A.A. Istratov, O.F. Vyvenko. Rev. Sci. Instrum., 70 (2), 1233 (1999)
H. Shiraki, Y. Tokuda, K. Sassa. J. Appl. Phys., 84, 3167 (1998)
A. Cavallini, L. Polenta. J. Appl. Phys., 98, 023 708 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель