Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние облучения электронами низких энергий на оптические свойства структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN

Вергелес П.С.¹, Якимов Е.Б.^1,2

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

²Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия National University of Science and Technology MISiS, Moscow, Russia

National University of Science and Technology MISiS, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.

Выставление онлайн: 20 января 2015 г.

PDF версия

Приведены результаты исследований температурной зависимости интенсивности катодолюминесценции в необлученных и облученных электронами с подпороговой энергией структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN в интервале температур 80-300 K. Показано, что в результате облучения температурная зависимость становится более слабой. Анализ этих и полученных ранее результатов позволяет предположить, что облучение электронами приводит к релаксации напряжений в квантовых ямах, обусловленных несоответствием параметров решеток InGaN и GaN.

O. Gfrorer, C. Gemmer, J. Off, J.S. Im, F. Scholz, A. Hangleiter. Phys. Status Solidi B, 216, 405 (1999)
U. Jahn, S. Dhar, H. Kostial, I.M. Watson, K. Fujiwara. Inst. Phys. Conf. Ser., 180, 337 (2003)
U. Jahn, S. Dhar, H. Kostial, I.M. Watson, K. Fujiwara. Phys. Status Solidi C, 0, 2223 (2003)
N.M. Shmidt, P.S. Vergeles, E.E. Yakimov, E.B. Yakimov. Sol. St. Commun., 151, 208 (2011)
N.M. Shmidt, P.S. Vergeles, E.E. Yakimov, E.B. Yakimov. Phys. Status Solidi C, 8, 1265 (2011)
P.S. Vergeles, E.B. Yakimov. J. Physics: Conf. Ser., 281, 012 013 (2011)
M. Thomsen, H. Jonen, U. Rossow, A. Hangleiter. J. Appl. Phys., 109, 123 710 (2011)
П.С. Вергелес, Н.М. Шмидт, Е.Б. Якимов. Поверхность, N 10, 33 (2011)
N.M. Lockrey, M.R. Phillips. J. Semicond., 32 (1), 012 001 (2011)
П.С. Вергелес, Н.М. Шмидт, Е.Б. Якимов. Поверхность, N 11, 22 (2012)
H. Nykanen, P. Mattila, S. Suihkonen, J. Riikonen, M. Sopanen. Phys. Status Solidi C, 9 (7), 1563 (2012)
E.B. Yakimov. Internat. J. Nanoparticles, 6, 191 (2013)
P.S. Vergeles, N.M. Shmidt, E.B. Yakimov. Phys. Status Solidi C, 10 (3), 464 (2013)
Y. Kuznetsova, M. Zamoryanskaya. Jpn. J. Appl. Phys., 52, 08JJ06 (2013)
E.B. Yakimov, P.S. Vergeles, A.Y. Polyakov, Han-Su Cho, Lee-Woon Jang, In-Hwan Lee. J. Vac. Sci. Technol. B, 32 (1), 011 207 (2014)
A.M. Emara, E.A. Berkman, J. Zavada, N.A. El-Masry, S.M. Bedair. Phys. Status Solidi C, 8 (7--8), 2034 (2011)
P.G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, M. Osinski. Appl. Phys. Lett., 71, 569 (1997)
C. Netzel, C. Mauder, T. Wernicke, B. Reuters, H. Kalisch, M. Heuken, A. Vescan, M. Weyers, M. Kneissl. Semicond. Sci. Technol., 26, 105 017 (2011)
J.H. Zhu, L.J. Wang, S.M. Zhang, H. Wang, D.G. Zhao, J.J. Zhu, Z.S. Liu, D.S. Jiang, Y.X. Qiu, H. Yang. J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 235 104 (2009)
Q. Wang, J. Bai, Y.P. Gong, T. Wang. J. Phys. D: Appl. Phys., 44, 395 102 (2011)
E.Y. Xie, Z.Z. Chen, P.R. Edwards, Z. Gong, N.Y. Liu, Y.B. Tao, Y.F. Zhang, Y.J. Chen, I.M. Watson, E. Gu, R.W. Martin, G.Y. Zhang, M.D. Dawson. J. Appl. Phys., 112, 013 107 (2012)
B. Monemar, G. Pozina. Progr. Quant. Electron., 24, 239 (2000)
C.G. Van de Walle, J. Neugebauer. Appl. Phys. Lett., 70 (19), 2577 (1997)
L. Dong, J.V. Mantese, V. Avrutin, U. Ozgur, H. Morkoc, S.P. Alpay. J. Appl. Phys., 114, 043 715 (2013)
S. Tomiya, S. Goto, M. Takeya, M. Ikeda. Phys. Status Solidi A, 200 (1), 139 (2003)
S. Tomiya, M. Takeya, S. Goto, M. Ikeda. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 831, E1.1 (2005)
S.V. Koveshnikov, E.B. Yakimov, N.A. Yarykin, V.A. Yunkin. Phys. Status Solidi A, 111, 81 (1989)
H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 28, L2112 (1989)
C.H. Seager, S.M. Myers, B. Vaandrager, J.S. Nelson. Appl. Phys. Lett., 80, 2693 (2002)
H. Nykanen, S. Suihkonen, L. Kilanski, M. Sopanen, F. Tuomisto. Appl. Phys. Lett., 100, 122 105 (2012)
B. Sieber. Springer Proc. Phys., 120, 459 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель