Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10--14 марта 2014 г. Влияние пространственного расположения delta-слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.
Исследованы спектры фоточувствительности, фотолюминесценции и электролюминесценции диодных гетеронаноструктур InGaAs/GaAs с delta-слоем Si, сформированным на расстоянии 10 нм от квантовой ямы InGaAs. Установлено влияние расположения delta-слоя относительно квантовой ямы на оптоэлектронные свойства структур.
- E.F. Schubert, J.B. Stark, B. Ullrich, J.E. Cunningham. Appl. Phys. Lett., 52, 1508 (1988)
- А.В. Мурель, А.В. Новиков, В.И. Шашкин, Д.В. Юрасов. ФТП, 46, 1384 (2012)
- С.В. Тихов, И.А. Карпович, В.Г. Тестов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 1, 31 (2013)
- A.M. Nazmul, T. Amemiya, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Tanaka. Phys. Rev. Lett., 95, 017 201 (2005)
- H.-S. Yoon, J.-H. Lee, B.-S. Park, Ch.-E. Yun, Ch.-S. Park. J. Korean Phys. Soc., 33, 741 (1998)
- H.-C. Chiu, C.-S. Cheng, C.-C. Wei. Semicond. Sci. Technol., 21, 1432 (2006)
- И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, С.С. Широков, Р.М. Имамов, И.А. Субботин. ФТП, 42, 1102 (2008)
- H.M. Shieh, W.C. Hsu, C.L. Wu. Appl. Phys. Lett., 63 (4), 509 (1993)
- X. Cao, Y. Zeng, M. Kong, L. Pan, B. Wang, Zh. Zhu. Sol. St. Electron., 45, 751 (2001)
- Zh. Huang, R. Yu, Ch. Jiang, T. Lin, Zh. Zhang, J. Chu. Phys. Rev. B, 65, 205 312 (2002)
- Р.А. Хабибуллин, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, В.П. Гладков, В.А. Кульбачинский, А.Н. Клочков, Н.А. Юзеева. ФТП, 45, 666 (2011)
- V.V. Vainberg, A.S. Pylypchuk, N.V. Baidus, B.N. Zvonkov. Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron., 16 (2), 152 (2013)
- В.В. Русаков, Г.Н. Травлеев. Микроэлектроника, 8 (2), 177 (1979)
- С.В. Тихов, Н.В. Байдусь, А.А. Бирюков, С.В. Хазанова. ФТП, 46, 1532 (2012)
- И.А. Карпович, Д.О. Филатов. ФТП, 30, 1745 (1996)
- Н.С. Волкова, А.П. Горшков, И.А. Карпович. Вестн. Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского. Сер. физ., 2 (1), 34 (2012)
- J. Nelson, M. Paxman, K.W.J. Barnham, J.S. Roberts, C. Button. IEEE J. Quant. Electron., 29 (6), 1460 (1993)
- В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов, Л.В. Гавриленко, З.Ф. Красильник, Д.И. Курицын, Д.И. Крыжков, С.В. Морозов. ФТП, 46, 940 (2012)
- N.V. Baidus, M.I. Vasilevskiy, S.V. Khasanova, B.N. Zvonkov, H.P. van der Meulen, J.M. Calleja, L. Vina. EPL, 98, 27 012 (2012)
- D.A.B. Miller, D.S. Chemla, T.C. Damen, A.C. Gossard, W. Wiegmann, T.H. Wood, C.A. Burrus. Phys. Rev. B, 32, 1043 (1985)
- А.П. Горшков, И.А. Карпович, А.В. Кудрин. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 5, 25 (2006).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
