Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрические свойства FeGa2Se4 на переменном токе
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан 
2Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
3Институт проблемы химии Национальной академии наук Азербайджана, A Баку, Азербайджан
2Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
3Институт проблемы химии Национальной академии наук Азербайджана, A Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 13 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.
Исследованы температурные и частотные зависимости диэлектрической проницаемости и электропроводности кристаллов FeGa2Se4 на переменном токе. Определены значения диэлектрической проницаемости. Предположено, что возрастание varepsilon' связано с увеличением концентрации дефектов с ростом температуры. Установлено, что в температурном интервале 294 - 374 K при частотах 104-2·105 Гц для электропроводности выполняется закономерность sigma propto fS (0.1 ≤ S ≤ 1.0). B кристалле FeGa2Sе4 изменение электропроводности в зависимости от частоты можно объяснить следующим образом: в кристаллах существуют кластеры, содержащие локализованные состояния с близкой энергией, и перескок электронов осуществляется между ними. В соединении FeGa2Se4 проводимость характеризуется зонно-прыжковыми механизмами.
- A. Memo, W. Kwarteng-Acheampong, H. Heauseler. Mater. Res. Bull., 38, 1057 (2003)
- Н.Н. Нифтиев, М.А. Алиджанов, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов. ФТП, 37, 173 (2003)
- Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. ФТП, 38, 164 (2004)
- Н.Н. Нифтиев, М.А. Алиджанов, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов, Ф.М. Мамедов. ФТП, 38, 550 (2004)
- Н.Н. Нифтиев. ФТП, 38, 522 (2004)
- T. Torres, V. Sagredo, L.M. de Chalbaund, G. Attolini, F. Bolzoni. Phys. Condens. Matter, 384, 100 (2006)
- F.J. Manjon, A. Segura, M. Amboage, J. Pellicer, J.F. Sancer-Royo et al. Phys. Status Solidi B, 244, 229 (2006)
- V. Sagredo, M.C. Moron, L. Betancourt, G.E. Delgodo. J. Magnetic Mater., 312, 294 (2007)
- Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. ФТП, 41, 17 (2007)
- Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов. ФТП, 42, 268 (2008)
- Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов. Ф.М. Мамедов, Ф.А. Казымова. Письма ЖТФ, 35, 79 (2009)
- Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов, Ф.М. Мамедов. ФТП, 43, 1447 (2009)
- И.В. Бондарь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 43, 1549 (2009)
- И.В. Бондарь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. ФТП, 44, 39 (2010)
- С.А. Панахзаде. Тез. докл. Всес. конф. Тройные полупроводники и их применение" (Кишинев, Штиинца, 1976) с. 187
- М.Р. Аллазов, П.К. Бабаева, П.Г. Рустамов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 15, 1177 (1979)
- Н.Н. Нифтиев. Укр. физ. журн., 48, 585 (2003)
- Ю.М. Поплавко. Физика диэлектриков (М., Высш. шк., 1980)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1
- Н.Н. Нифтиев, М.А. Алиджанов, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов. Укр. физ. журн., 47, 1054 (2002)
- H. Bettger, V.V. Bruksin. Phys. Status Solidi B, 113, 9 (1982)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронная свойства легированных полупроводников (M., Наука, 1979)
- В.В. Брыскин. ФТТ, 22, 2441 (1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
