"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние ионно-лучевой обработки в процессе реактивного высокочастотного магнетронного распыления на концентрацию и подвижность носителей заряда в пленках ITO
Крылов П.Н.1, Закирова Р.М.1, Федотова И.В.1
1Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
Поступила в редакцию: 7 ноября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

Показано, что ионная обработка в процессе получения пленок ITO реактивным высокочастотным магнетронным распылением способствует уменьшению сопротивления пленок даже при комнатной температуре. Исследовано изменение значений холловской подвижности и концентрации носителей заряда в зависимости от температуры конденсации и тока ионной обработки. Уменьшение сопротивления происходит преимущественно за счет увеличения концентрации основных носителей заряда. Предполагается, что изменение концентрации носителей заряда связано с дефектами (2SnoInO''i)x.
  • С.И. Рембеза, П.Е. Воронов, Б.М. Синельников, Е.С. Рембеза. ФТП, 45 (11), 1538 (2011)
  • А.И. Бажин, А.Н. Троцан, С.В. Чертопалов, А.А. Стипаненко, В.И. Ступак. Физическая инженерия поверхности (Харьков), 10 (4), 342 (2012)
  • В.В. Наумов, В.Ф. Бочкарев, А.А. Горячев, А.С. Куницын, Е.И. Ильяшенко, П.Е. Гоа, Т.Х. Иохансен. ЖТФ, 74 (4), 48 (2004)
  • S.H. Mohamed, F.M. El-Hossary, G.A. Gamal, M.M. Kahlid. Acta Phys. Polon. A, 115 (3), 704 (2009)
  • В.М. Ветошкин, Р.М. Закирова, П.Н. Крылов. ВТТ, 21 (1), 57 (2011)
  • Л.П. Павлов. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов (М., Высш. шк., 1987)
  • С.С. Горелик, Ю.А. Скаков, Л.Н. Расторгуев. Рентгенографический и электроннографический анализ (М., МИСИС, 2002)
  • П.Н. Крылов, Р.М. Закирова, И.В. Федотова. ФТП, 47 (10), 1421 (2013)
  • H.Y. Yeom, N. Popovich, E. Chason, D.C. Paine. Thin Sol. Films, 411, 17 (2002)
  • Г.В. Юрченко. ВАНТ, 5, 97 (2000)
  • J.-H. Kim, J.-H. Lee, Y.-W. Heo, J.-J. Kim, J.-O. Park. J. Electroceram., 23, 169 (2009)
  • O. Tuna, Y. Selamet, G. Aygun, L. Ozyuzer. J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 055 402 (2010)
  • D. Kim, S. Kim. Thin Sol. Films, 408, 218 (2002)
  • C. Warmsingh, Y. Yoshida, D. Readey, J. Perkins, P. Parilla, C. Teplin, T. Kaydanova, J. Alleman, L. Gedvilas, B. Keyes, T. Gessert, T. Coutts, D. Ginley. Conf. Paper NREL/CP-520-33596 (Denver, Colorado, USA, 2003)
  • J.W. Bae, J.S. Kim, G.Y. Yeom. Nucl. Instr. Meth. B, 178, 311 (2001)
  • L.-J. Meng, J. Gao, V. Teixeira, M.P. dos Santos. Phys. Status Solidi A, 205 (8), 1961 (2008)
  • L.-J. Meng, J. Gao, M.P. dos Santos, X. Wang, T. Wang. Thin Sol. Films, 516, 1365 (2008)
  • L.-J. Meng, J. Gao, R.A. Silva, S. Song. Thin Sol. Films, 516, 5454 (2008)
  • H. Liu, V. Avrutin, N. Izyumskaya, U. Ozgur, H. Morkoc. Superlatt. Microstruct., 48, 458 (2010)
  • D.H. Zhang, H.L. Ma. Appl. Phys. A. 62, 487 (1996)
  • K. Fuchsel, U. Schulz, N. Kaiser, A. Tunnermann. Proc. SPIE, 7101, 71010O (2008)
  • П.Н. Крылов, Р.М. Закирова, И.В. Федотова, Ф.З. Гильмутдинов. ФТП, 47 (6), 859 (2013)
  • Z. Qiao. Dissertation zur Erlangung des Grades Doktor der Naturwissenschaften (Dr. rer. nat.), (Hebei, V. R. China, 2003)
  • H. Guangzong, X. Changxing, Y. Xilin. Proc. SPIE, 6831, 683 111 (2007)
  • N. Balasubramanian, A. Subrahmanyam. J. Phys. D: Appl. Phys., 22, 206 (1989)
  • A. Klein, C. Korber, A. Wachau, F. Sauberlich, Y. Gassenbauer, S.P. Harvey, D.E. Proffit, T.O. Mason. Materials, 3 (11), 4892 (2010)
  • R.B.H. Tahar, T. Ban, Y. Ohya, Y. Takahashi. J. Appl. Phys., 83 (5), 2631 (1998)
  • O. Warschkow, D.E. Ellis, G.B. Gonsalez, T.O. Mason. J. Am. Ceram. Soc., 86 (10), 1700 (2003)
  • D.E. Proffit, D.B. Buchholz, R.P.H. Chang, M.J. Bedzyk, T.O. Mason, Q. Ma. J. Appl. Phys., 106, 113 524 (2009)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.