"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние постростовых технологий на характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/Ga(In)As/Ge
Андреев В.М.1, Гребенщикова Е.А.1, Дмитриев П.А.1, Ильинская Н.Д.1, Калиновский В.С.1, Контрош Е.В.1, Малевская А.В.1, Усикова А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

Исследованы фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/Ga(In)As/Ge в зависимости от метода формирования чипа фотоэлемента. Показано, что применение разработанной постростовой технологии разделения на чипы наногетероструктуры в едином процессе позволяет повысить качество пассивации боковой поверхности мезы чипов, что обеспечивает уменьшение поверхностных токов утечки и увеличение выхода приборов с улучшенными характеристиками.
  • R.R. King, D. Bhusari, D. Larrabee, X.-Q. Liu, E. Rehder, K. Edmondson, H. Cotal, R.K. Jones, J.H. Ermer, C.M. Fetzer, D.C. Law, N.H. Karam. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 20, 801 (2012)
  • http://www.sj-solar.com
  • В.М. Андреев, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, В.С. Калиновский, М.З. Шварц. Тр. REENFOR-2013 (М., 2013) с. 65
  • В.М. Андреев, В.В. Евстропов, В.С. Калиновский, В.М. Лантратов, В.П. Хвостиков. ФТП, 43 (5), 671 (2009)
  • V.S. Kalinovsky, V.V. Evstropov, et al. Proc. 24th Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Humburg, Gemany, 2009) p. 733
  • V.M. Andreev, V.S. Kalinovsky et al. Proc. 25th Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. and 5th World Conf. on Photovolt. Energy Conversion (Valencia, Spain, 2010) p. 979
  • В.М. Андреев, Н.Д. Ильинская, А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, В.М. Лантратов, С.А. Минтаиров. Патент RU No 2354009, МПК H01L 31/18. Опубликован 27.04.2009
  • В.М. Андреев, Е.А. Гребенщикова, В.С. Калиновский, Н.Д. Ильинская, А.В. Малевская, А.А.Усикова, Ю.М.Задиранов. Патент RU No 2485628 С1, МПК H01L 31/18. Опубликован 20.06.2013
  • В.В. Мамутин, В.М. Устинов, J. Boetthcher, H. Kuenzel. ФТП, 44 (7), 995 (2010)
  • D. Hofstetter, F.R. Giorgetta, E. Baumann, Q. Yang, C. Manz, K. Kohler. Appl. Phys. Lett., 93, 221 106 (2008)
  • Q. Song, H. Cao, S.T. Ho, G.S. Solomon. Appl. Phys. Lett., 94, 061 109 (2009)
  • M. Bouttemy, A. Causier, I. Gerard, P. Tran Van, J. Vigneron, A. Etcheberry. Proc. 13th Int. Conf. on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI) (Prague, Czech Republic, 2011) р. 71
  • Я.А. Угай. Введение в химию полупроводников (М., Высш. шк., 1975) с. 276
  • В.М. Андреев, Е.А. Гребенщикова, П.А. Дмитриев, Н.Д. Ильинская, В.С. Калиновский, Е.В. Контрош, А.В. Малевская, А.А. Усикова. Тез. докл. XI Росс. конф. по физике полупроводников (СПб., Россия, 2013) с. 442
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.