Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Количественная калибровка и послойный анализ концентрации германия в гетероструктурах GexSi1-x/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии
Дроздов М.Н.1, Дроздов Ю.Н.1, Новиков А.В.1, Юнин П.А.1, Юрасов Д.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 28 ноября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.
Обсуждаются режимы количественного анализа концентрации германия в слоях GexSi1-x методом вторично-ионной масс-спектрометрии, позволяющие минимизировать нелинейные матричные эффекты. Для установки TOF.SIMS-5 с времяпролетным масс-анализатором апробированы режимы анализа, использующие различные типы вторичных ионов при распылении ионами цезия: положительные GeCs+, SiCs+ и отрицательные Ge-, Si-. В отличие от существующих работ для установок TOF.SIMS показана линейная зависимость отношения концентраций ионов Ge-/Si- от величины x/(1-x). Предложено два новых варианта линейных калибровок для концентрации германия с использованием кластерных вторичных ионов Ge2-. Определены калибровочные коэффициенты для всех линейных калибровок при разных энергиях распыляющих ионов цезия и зондирующих ионах Bi+ и Bi+3. Впервые установлено, что среди возможных режимов количественного послойного анализа концентрации германия в многослойных гетероструктурах GexSi1-x/Si наилучшее разрешение по глубине обеспечивает режим калибровки, использующий элементарные отрицательные вторичные ионы Ge- и Si-.
- R.G. Wilson. Intern. J. Mass Spectrometry and Ion Processes, 143, 43 (1995)
- Y. Gao. J. Appl. Phys., 67, 3760 (1988)
- B. Gautier, J.C. Dupuy, C. Dubois, M. Bonneau, J. Delmas, J.P. Vallard, G. Bremond, R. Brenier. Thin Sol. Films, 294, 54 (1997)
- B. Saha, P. Chakraborty. Nucl. Instr. Meth. B, 258, 218 (2007)
- G. Dong, C. Liangzhen, L. Rong, A.T.S. Wee. Surf. Interface Anal., 32, 171 (2001)
- F. Sanchez-Almazan, E. Napolitani, A. Carnera, A.V. Drigo, G. Izella, H. von Kanel, M. Berti. Appl. Surf. Sci., 231-232, 704 (2004)
- M. Junel, F. Laugier. Appl. Surf. Sci., 231-232, 698 (2004)
- M. Gavelle, E. Scheid, F. Cristiano, C. Armand, J.-M. Hartmann, Y. Campidelli, A. Halimaoui, P.-F. Fazzini, O. Marcelot. J. Appl. Phys., 102, 074 904 (2007)
- R. Pureti, W. Vandervorst. Surf. Interface Anal., 45, 402 (2013)
- G. Prudon, C. Dubois, B. Gautier, J.C. Dupuy, J.P. Graf, Y. Le Gall, D. Muller. Surf. Interface Anal., 45, 376 (2013)
- K.J. Kim, J.S. Jang, D.W. Moon, H.J. Kang. Metrologia, 47, 253 (2010)
- D. Marseilhan, J.P. Barnes, F. Fillot, J.M. Hartmann, P. Holliger. Appl. Surf. Sci., 255, 1412 (2008)
- M. Py, J.P. Barnes, J.M. Hartmann. Surf. Interface Anal., 43, 539 (2011)
- S. Ferrari, M. Perego, M. Fanciulli. Appl. Surf. Sci., 203-204, 52 (2003)
- M. Perego, S. Ferrari, M. Fanciulli. Surf. Sci., 599, 141 (2005)
- M. Py, J.P. Barnes, D. Lafond, J.M. Hartmann. Rapid Commun. Mass Spectrom., 25, 629 (2011)
- М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, Д.В. Юрасов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 6, 93 (2011)
- М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, Д.В. Юрасов. ФТП, 44, 418 (2010)
- S. Hofmann. Rep. Progr. Phys., 61, 827 (1998)
- J.Y. Wang, Y. Liu, S. Hofmann, J. Kovac. Surf. Interface Anal., 44, 569 (2012)
- P.A. Yunin, Yu.N. Drozdov, M.N. Drozdov. Surf. Interface Anal., 45, 1228 (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
