"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Характеризация пористого карбида кремния по спектрам поглощения и фотолюминесценции
Березовская Н.И.1, Бачериков Ю.Ю.2, Конакова Р.В.2, Охрименко О.Б.2, Литвин О.С.2, Линец Л.Г.3, Светличный А.М.3
1Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет, Киев, Украина
2Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3Таганрогский технологический институт Южного федерального университета (ТТИ ЮФУ), Таганрог, Россия
Поступила в редакцию: 28 ноября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

Представлены результаты исследований методами атомно-силовой микроскопии, спектроскопии оптического поглощения и фотолюминесценции пористого карбида кремния, созданного методом анодного травления. Анализ полученных данных указывает на отсутствие в пористом слое фазы кубического SiC, а появление фотолюминесценции por-SiC при энергии возбуждающего излучения hnuex≤ Eg обусловлено образованием центров излучения, связанных с атомами примеси и поверхностными дефектами, возникающими при анодном травлении образца и последующей обработке, вскрывающей поры.
  • Porous Silicon Carbide and Gallium Nitride: Epitaxy, Catalysis, and Biotechnology Applications, ed. by Randall M. Feenstra, E.C. Colin (Wood, 2008)
  • С.Н. Савкина, В.В. Ратников, А.Ю. Рогачов, В.Б. Шуман, А.С. Трегубова, А.А. Волкова. ФТП, 36, 812 (2002)
  • М.Г. Мынбаева, А.А. Лаврентьев, Н.И. Кузнецов, А.Н. Кузнецов, К.Д. Мынбаев, А.А. Лебедев. ФТП, 37, 612 (2003)
  • Л.М. Сорокин, Н.С. Савкина, В.Б. Шуман, А.А. Лебедев, Г.Н. Мосина, Дж. Хатчмсон. Письма в ЖТФ, 28, 23 (2002)
  • G. Polupan, T.V. Torchynska. Thin Sol. Films, 518, S208 (2010)
  • T.V. Torchynska, A. Diaz Cano, M. Dybic, S. Ostapenko, M. Mynbaeva. Physica B, 376--377, 367 (2006)
  • Д.А. Сеченов, О.А. Агеев, Ф.Д. Касимов, Г.Г. Кадымов. Газочувствительные датчики на основе карбида кремния (Баку, Мутарджим, 2004)
  • Tilghman L. Rittenhouse, Paul W. Bohn, Tim K. Hossain, Ilesanmi Adesida, James Lindesay, Alfred Marcus. J. Appl. Phys., 95, 490 (2004)
  • F. Hassen, R. M'Ghaieth, H. Maaref, R. Madar. Mater. Sci. Eng. C, 15, 113 (2001)
  • Ki-Hwan Lee, Ying-Lei Du, Tae-Ho Lee. Bull. Korean Chem. Soc., 21, 769 (2000)
  • A.M. Danishevskii, M.V. Zamoryanskaya, A.A. Sitnikova, V.B. Shuman, A.A. Suvorova. Semicond. Sci. Technol., 13, 1111 (Printed in the UK, 1998)
  • Ю.Ю. Бачериков, Р.В. Конакова, О.С. Литвин, О.Б. Охрименко, А.М. Светличный, Н.Н. Московченко. Письма в ЖТФ, 32, 6 (2006)
  • Р.В. Конакова, А.Ф. Коломыс, О.С. Литвин, О.Б. Охрименко, В.В. Стрельчук, А.В. Светличный, Л.Г. Линец. ФТП, 46, 1244 (2012)
  • SiC Materials And Devices ( Selected Topics in Electronics and Systems) [Hardcover], ed. by M. Shur, S. Rumyantsev, M. Levinshtein (World Scientific Publishing Company, 2006) v. 1
  • А.М. Данишевский, В.Б. Шуман, А.Ю. Рогачев, Е.Г. Гук, П.А. Иванов, А.А. Мальцев. ФТП, 30, 1064 (1996)
  • Takahiro Matsumoto, Jun Takahashi, Teruyuki Tamaki, Toshiro Futagi, Hidenori Mimura, Yoshihiko Kanemitsu. Appl. Phys. Let., 64, 226 (1994)
  • А.М. Данишевский, В.Б. Шуман, А.Ю. Рогачев, П.А. Иванов. ФТП, 29, 2122 (1995)
  • A.M. Rossi, V. Ballarini, S. Ferrero, F. Giorgis. Mater. Sci. Forum, 457--460, 1475 (2004)
  • Yu. Goldberg, M. Levinshtein, S. Rumyantsev. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, SiC, BN, SiC, SiGe, eds M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur (John Wiley \& Sons, Inc., N.Y., 2001) p. 93
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.