"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование распределений потенциала в прямо смещенном кремниевом диоде методом электростатической силовой микроскопии
Анкудинов А.В.1, Титков А.Н.1, Laiho R.2, Козлов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Wihury Physical Laboratory, Turku, Finland
Поступила в редакцию: 26 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

Методом электростатической силовой микроскопии изучено распределение потенциала в эпитаксиально-диффузионном n+-n-p-p+-кремниевом диоде. Исследования методом электростатической силовой микроскопии проводились на сколе диода, пересекающем формирующие его слои. Первоначально были найдены распределения потенциала и емкости по поверхности скола. По вариациям поверхностного потенциала и емкости с субмикронным пространственным разрешением были определены положение и протяженность n-p-перехода и прослежено распределение в диоде приложенного прямого смещения. Обнаружено существование в исследовавшейся структуре заметного дополнительного потенциального барьера в области n+-n-перехода с подложкой. При плотности тока инжекции более 100 мА/см2 падение потенциала на этом барьере становится сопоставимым с изменениями потенциала на рабочем n-p-переходе.
  1. M. Nonemacher, M.P. O'Boyle, H.K. Wickmarmasing. Appl. Phys. Lett., 58, 2091 (1991)
  2. A. Kikukawa, S. Hosaka, R. Imura. Appl. Phys. Lett., 66, 3510 (1995)
  3. H.O. Jacobs, P. Leuchtmann, O.J. Homan, A. Stemmer. J. Appl. Phys., 84(3), 1168 (1998)
  4. J.W. Hong, K.H. Noh, Sang-iL Park, S.I. Kwun, Z.G. Khim. Phis. Rev. B, 58, 5078 (1998)
  5. R. Shikler, T. Meoded, N. Fried, Y. Rosenwaks. Appl. Phys. Lett., 74, 2972 (1999)
  6. G. Leveque, P. Girard, E. Skouri, D. Yareka. Appl. Surf. Sci., 157, 251 (2000)
  7. А.В. Анкудинов, Е.Ю. Котельников, А.А. Кацнельсон, В.П. Евтихиев, А.Н. Титков. ФТП, 35 (7), 874 (2001)
  8. A. Ankudinov, V. Marushchak, A. Titkov, V. Evtikhiev, E. Kotelnikov, A. Egorov, H. Riechert, H. Huhtinen, R. Laiho. PLDS, 3/4, 9 (2001)
  9. C. Ballif, H.R. Moutinho, M.M. Al.-Jassim. J. Appl. Phys., 89, 1418 (2001)
  10. G.H. Buh, H.J. Chung, C.K. Kim, J.H. Yi, I.T. Yoon, Y. Kuk. Appl. Phys. Lett., 77, 106 (2000)
  11. С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1973)
  12. А.В. Анкудинов и др. Сборник расширенных тезисов Всероссийского совещания по зондовой микроскопии (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.