"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Высокочастотный отклик и нелинейная когерентная генерация резонансно-туннельного диода в широком интервале частот с учетом межэлектронного взаимодействия
Елесин В.Ф.1, Катеев И.Ю.1, Подливаев А.И.1
1Московский государственный инженерно-физический институт (технический университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 8 января 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

В рамках последовательной квантово-механической модели численно найдены отклик и мощность когерентной генерации резонансно-туннельного диода в широком интервале частот с учетом межэлектронного взаимодействия. Показано, что "квантовый режим" генерации сохраняется и при учете межэлектронного взаимодействия. Таким образом, возможна генерация большой мощности на частотах, превосходящих ширину резонансного уровня. В "классическом " режиме следует ожидать даже улучшения параметров генерации, в частности уменьшения порога генерации. Это связано с ростом отрицательной дифференциальной проводимости из-за межэлектронного взаимодействия.
  1. H.C. Liu. Phys. Rev. B, 43, 2097 (1991)
  2. В.Ф. Елесин. ЖЭТФ, 116, 704 (1999)
  3. V.F. Elesin. Phys. Low-Dim. Structur., 1/2, 55 (2000)
  4. В.Ф. Елесин, И.Ю. Катеев, А.И. Подливаев. ФТП, 34, 1373 (2000)
  5. В.Ф. Елесин. ЖЭТФ, 119, 816 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.