Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах PbTe--MnTe

Рогачева Е.И.¹, Кривулькин И.М.¹

¹Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина National Technical University “Kharkiv Polytechnic Institute”, Kharkiv, Ukraine

National Technical University “Kharkiv Polytechnic Institute”, Kharkiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 8 мая 2001 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

PDF версия

Исследованы температурные зависимости (80-300 K) электропроводности (sigma), коэффициента Холла (R_H) и подвижности носителей заряда (mu_H) литых и прессованных образцов твердых растворов PbTe-MnTe (0-2.5 мол% MnTe). Для литых образцов mu_H практически не изменяется в интервале 80-140 K, после чего падает по степенному закону mu_H=aT^-nu. Для прессованных образцов в интервале 100-160 K при повышении температуры наблюдается экспоненциальный рост mu_H, который объясняется наличием энергетических барьеров высотой Delta E_a, создаваемых окисными пленками на межзеренных границах. На зависимостях mu_H, nu и Delta E_a от содержания MnTe в области составов 0.75-1.25 мол% обнаружены аномалии, которые связываются с концентрационным фазовым переходом перколяционного типа.

А.В. Любченко, Е.А. Сальков, Ф.Ф. Сизов. Физические основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектроники (Киев, Наук. думка, 1984)
Е.И. Рогачева, Н.К. Жигарева, А.Б. Иванова. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 24, 1629 (1988)
Е.И. Рогачева. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 25, 754 (1989)
E.I. Rogacheva, N.A. Sinelnik, O.N. Nashchekina. Acta Phys. Polon. (A), 84, 729 (1993)
E.I. Rogacheva. Japan. J. Appl. Phys., 32, Suppl. 32-3, 775 (1993)
F.V. Kyrychenko, J. Kossut. Phys. Rev. B, 61, 4449 (2000)
Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS (М., Наука, 1968)
И.А. Драбкин, Г.Ф. Захарюгина, И.В. Нельсон. ФТП, 5, 325 (1971)
Б.М. Гольцман, В.Ш. Саркисян, Л.С. Стильбанс, В.В. Шлыков. Изв. АН СССР. Неорг. матер. 4, 2194 (1968)
С.В. Пляцко. ФТП, 32, 257 (1998)
В.Д. Окунев, Н.Н. Пафомов. ЖЭТФ, 116 (1), 276 (1999)
R.L. Petritz. Phys. Rev., 104, 1508 (1956)
Б.А. Ефимова, О.А. Казанская, Э.Ф. Косолапова, Л.Е. Москалева. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 13, 1403 (1977)
E.I. Rogacheva, I.M. Krivulkin, V.P. Popov, T.A. Lobkovskaya. Phys. St. Sol. (a), 148, K65 (1995)
E.I. Rogacheva, I.M. Krivulkin. Inst. Phys. Conf., No 152, 831 (1998)
E.I. Rogacheva, A.S. Sologubenko, I.M. Krivulkin. Inorg. Mater., 34, 545 (1998)
Т. Судзуки, Х. Есинага, С. Такеути. Динамика дислокаций и пластичность (М., Мир, 1989)
D. Stauffer, A. Aharony. Introduction to Percolation Theory (London--Washington, DC. Taylor and Francis, 1992)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель