Моделирование энергетического спектра поверхностных состояний структур металл--диэлектрик--полупроводник с учетом тока через диэлектрик
Берман Л.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.
В структурах металл-диэлектрик-полупроводник с тонким диэлектриком нужно учитывать влияние тока через диэлектрик на заряд поверхностных состояний. Захват носителей тока на поверхностные состояния подавляет их термоэмиссию с поверхностных состояний. Этот процесс замедляет увеличение заряда поверхностных состояний при увеличении (по абсолютной величине) потенциала поверхности. Определение плотности поверхностных состояний методом высокочастотной емкости дает заниженное (в пределе - нулевое) значение плотности поверхностных состояний. Аномальная зависимость плотности поверхностных состояний от потенциала поверхности может быть индикатором равномерного по площади тока через диэлектрик.
- C. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., 1981) т. 1
- E.H. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metal--Oxide--Semiconductor) Physics and Technology (N. Y., 1983)
- M.C. Chen, D.V. Lang, W.C. Dautremont-Smith, A.M. Sergent, J.R. Harrison. Appl. Phys. Lett., 44, 790 (1984)
- E.K. Kim, H.Y. Cho, S.K. Min. J. Appl. Phys., 67, 1380 (1990)
- K. Dmowski, B. Lepley, E. Losson, M.El. Bouabdellati. J. Appl. Phys., 74, 3936 (1993)
- С.В. Тихов, А.П. Касаткин, С.И. Карпович. ФТП, 25, 434 (1991)
- А.А. Лебедев. ФТП, 28, 1980 (1994)
- Л.С. Берман, И.В. Грехов, И.Н. Каримов, Е.В. Остроумова. ФТП, 27, 917 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
