"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности фотоэлектрических свойств наноструктурированных пленок гидрированного кремния
Голикова О.А.1, Казанин М.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 января 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

Исследованы наноструктурированные пленки Si, отличающиеся содержанием водорода и формами Si--H-связей, а также некоторыми характеристиками включений Si в аморфной матрице (объемная фракция, размер, структура). Определены свойства, общие для всех исследованных пленок, по сравнению с a-Si : H --- возрастание плотности дефектов и немонотонный рост фотопроводимости на "красном крыле" спектральной зависимости. В то же время имеются пленки как с повышенной, так и с пониженной фотопроводимостью по сравнению с a-Si : H.
  • P. Roca i Cabarrocas, S. Hamma, P. Stahel, C. Zongeaud, J.P. Kleider, R. Meaudre, M. Meaudre. Proc 14th Europ. Photovolt. Energy Conf. (Barcelona, 1997). P. 5A, p. 20
  • О.А. Голикова, М.М. Казанин. ФТП, 33, 110 (1999)
  • О.А. Голикова, М.М. Казанин, А.Н. Кузнецов, Е.В. Багданова. ФТП, 34, 1125 (2000)
  • A. von Keudell, J.R. Abelson. J. Appl. Phys., 84, 489 (1998)
  • О.А. Голикова, М.М. Казанин. ФТП, 34, 762 (2000)
  • O.A. Golikova. ФТП, 31, 281 (1997)
  • G.J. Adriaenssens, W. Grevendonk, О.А. Голикова. ФТП, 32, 121 (1998)
  • M. Stutzman. Phil. Mag. B, 60, 531 (1989)
  • В.М. Новиков. А.П. Соколов. ФТТ, 32, 1515 (1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.