"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Роль азота в формировании люминесцирующих кремниевых нанопреципитатов при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Si
Качурин Г.А.1, Яновская С.Г.1, Журавлев К.С.1, Ruault М.-О.2
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2CSNSM-CNRS / IN2P3, Orsay, France
Поступила в редакцию: 6 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

В слои SiO2 имплантировали ионы Si+ с энергией 25 кэВ дозами (1-4)·1016 см-2 и ионы N+ с энергией 13 кэВ дозами (0.2-2)·1016 см-2. Затем слои отжигались при 900-1100oC для формирования люминесцирующих кремниевых нанопреципитатов. По спектрам фотолюминесценции следили за влиянием азота на этот процесс. Обнаружено, что при определенных соотношениях концентраций кремния и азота интенсивность фотолюминесценции заметно растет, а ее максимум смещается в коротковолновую сторону. Сделан вывод, что благодаря взаимодействию азота с избыточным кремнием увеличивается количество центров преципитации. В конечном итоге это ведет к росту числа нанокристаллов и к уменьшению их средних размеров. Несмотря на введение дополнительных центров преципитации, для образования нанокристаллов по-прежнему требовались минимальные концентрации избыточного Si порядка 1021 см-3 и отжиги при температурах выше 1000oC.
  • T. Shimizu-Iwayama, S. Nakao, K. Saitoh. Appl. Phys. Lett., 65, 1814 (1994)
  • P. Mutti, G. Gkislotti, S. Bertori, G.F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzza. Appl. Phys. Lett., 66, 851 (1995)
  • G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, N.A. Pazdnikov, V.A. Volodin, A.K. Gutakovskii, A.F. Leier, W. Skorupa, R. Yankov. Semiconductors, 31, 626 (1997)
  • M. Fujii, A. Mimura, S. Hayashi, K. Yamamoto, C. Urakawa, H. Ohta. J. Appl. Phys., 87, 855 (2000)
  • Д.И. Тетельбаум, И.А. Карпович, М.В. Степихова, В.Г. Шенгуров, К.А. Марков, О.Н. Горшков. Поверхность, N 5, 31 (1998)
  • S.P. Withrow, C.W. White, A. Meldrum, J.D. Budai, D.M. Hembree, jr., J.C. Barbour. J. Appl. Phys., 86, 396 (1999)
  • L. Patrone, D. Nelson, V. Safarov, M. Sentis, W. Marine, S. Giorgio. J. Appl. Phys., 87, 3829 (2000)
  • M. Fujii, S. Hayashi, K. Yamamoto. J. Appl. Phys., 83, 7953 (1998)
  • J. Zhao, D.S. Mao, Z.X. Lin, B.Y. Jiang, Y.H. Yu, X.H. Liu, H.Z. Wang, G.Q. Yang. Appl. Phys. Lett., 73, 1838 (1998)
  • J.-H. Tsai, A.-T. Yu, B.C. Shen. Japan. J. Appl. Phys., 39, L107 (2000)
  • I.E. Tyschenko, L. Rebohle, R.A. Yankov, W. Skorupa, A. Misiuk, G.A. Kachurin. J. Luminesc., 80, 229 (1999)
  • G.A. Kachurin, M.-O. Ruault, A.K. Gutakovskii, O. Kaitasov, S.G. Yanovskaya, K.S. Zhuravlev, H. Bernas. Nucl. Instr. Meth. B, 147, 356 (1999)
  • Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, M.-O. Ruault, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев, O. Kaitasov, H. Bernas. ФТП, 34 1004 (2000)
  • B.H. Augustine, E.A. Irene, Y.J. He, K.J. Price, L.E. McNeil, K.N. Christensen, D.M. Macher. J. Appl. Phys., 78, 4020 (1995)
  • Q. Zhang, S.C. Bayliss, D.A. Hutt. Appl. Phys. Lett., 66, 1977 (1995)
  • Q. Zhang, S.C. Bayliss, A.Al-Aljili, D.A. Hutt, P. Harris. Nucl. Instr. Meth. B, 97, 329 (1995)
  • J. Zhao, D.S. Mao, Z.X. Lin, X.Z. Ding, B.Y. Jiang, Y.H. Yu, X.H. Lin, G.Q. Yang. Appl. Phys. Lett., 74, 1403 (1999)
  • T. Ehara, S. Machida. Thin Sol. Films, 346, 275 (1999)
  • K. Oyoshi, T. Tagami, S. Tanaka. J. Appl. Phys., 68, 3653 (1990)
  • S. Veprek, Z. Iqbal, F.-A. Sarrot. Phys. Mag. B, 45, 137 (1982)
  • L.A. Nesbit. Appl. Phys., 46, 35 (1985)
  • Г.А. Качурин, А.Ф. Лейер, К.С. Журавлев, И.Е. Тысченко, А.К. Гутаковский, В.А. Володин, В. Скорупа, Р.А. Янков. ФТП, 32, 1371 (1998)
  • C. Delerue, G. Allan, M. Lanno. Phys. Rev. B, 48, 11 024 (1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.