"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование процесса роста пленки Ge на поверхности Si (100) методом регистрирующей дифрактометрии
Никифоров А.И.1, Черепанов В.А.1, Пчеляков О.П.1
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

Методом регистрации картины дифракции быстрых электронов in situ построена диаграмма структурного и морфологического состояния пленки Ge на поверхности Si (100), включающая в себя следующие области: сплошная пленка, hut- и dome-кластеры, dome-кластеры с дислокациями несоответствия на границе раздела. Впервые определено изменение параметров решетки пленки Ge в процессе ее роста на поверхности Si (100) при молекулярно-лучевой эпитаксии и обнаружены осцилляции изменения параметра поверхностной атомной ячейки в плоскости (100) на стадии двумерного слоевого роста.
  • A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, Yu.Yu. Proskuryakov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov. Thin Sol. Films, 336, 332 (1998)
  • D.J. Eaglesham, M. Cerullo. Phys. Rev. Lett., 64, 1943 (1990)
  • Y.-W. Mo, D.E. Savage, B.S. Swartzentruber, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 65, 1020 (1990)
  • F.K. LeGoues, M.C. Reuter, J. Tersoff, M. Hammar, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 73, 300 (1994)
  • H.T. Johnson, L.B. Freund. J. Appl. Phys., 81, 6081 (1997)
  • V.A. Markov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov. J. Cryst. Growth, 175/176, 736 (1997)
  • I. Goldfarb, G.A.D. Briggs. Surf. Sci., 433--435, 449 (1999)
  • O.P. Pchelyakov, V.A. Markov, A.I. Nikiforov, L.V. Sokolov. Thin Sol. Films, 306, 299 (1997)
  • L. Kubler, D. Dentel, J.L. Bischoff, C. Ghica, C. Ulhag-Bouillet, J. Werckmann. Appl. Phys. Lett., 73, 1053 (1998)
  • A. Ohtake, M. Ozeki, J. Nakamura. Phys. Rev. Lett., 84, 4665 (2000)
  • P. Turban, L. Hennet, S. Andrieu. Surf. Sci., 446, 241 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.