"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Атомные процессы в полупроводниковых кристаллах
Смирнов Л.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

Приведен исторический обзор становления под общим руководством и при участии Анатолия Васильевича Ржанова нового направления радиационной физики и технологии полупроводников. Направления, давшего массу практических приложений, но главное, заставившего коренным образом пересмотреть устоявшиеся ранее представления о реакциях в полупроводниковых кристаллах на основе данных о подвижной, подверженной внешним воздействиям, дефектно-примесной подсистеме. Развитые положения --- база для рассмотрения процессов на атомарном уровне, особенно при формировании и модификации активных кластеров и нанообъектов.
  • В.В. Болотов, А.И. Васильев, Н.Н. Герасименко, А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, В.И. Попов, Л.С. Смирнов, В.Ф. Стась. Физические процессы в облученных полупроводниках (Новосибирск, Наука, 1977)
  • Л.С. Смирнов, С.П. Соловьев, В.Ф. Стась, В.А. Харченко. Легирование полупроводников путем ядерных реакций (Новосибирск, Наука, 1981)
  • В.В. Болотов, А.И. Васильев, А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, Н.Б. Придачин, Л.С. Смирнов, В.Ф. Стась. Вопросы радиационной технологии полупроводников (Новосибирск, Наука, 1980)
  • А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, Е.В. Нидаев, Л.С. Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов (М., Наука, 1982)
  • А.Л. Асеев, Л.И. Федина, Д. Хеэль, Х. Барч. Скопление междоузельных атомов в кремнии и германии (Новосибирск, Наука, 1991)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.