Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование пороговых характеристик InGaAsP/InP-гетеролазеров (lambda=1.55 мкм)

Зегря Г.Г.¹, Пихтин Н.А.¹, Скрынников Г.В.¹, Слипченко С.О.¹, Тарасов И.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 2 октября 2000 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Работа посвящена исследованию температурной зависимости пороговых характеристик лазера с квантовыми ямами в системе InGaAsP/InP. Показано, что наибольший вклад в пороговый ток вносит беспороговый процесс оже-рекомбинации. Степенная зависимость порогового тока от температуры, наблюдаемая в эксперименте, объясняется преобладанием беспорогового процесса оже-рекомбинации в квантовых ямах над пороговым оже-процессом.

I.V. Asryan, N.A. Gun'ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, Pey-Kee Lay, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15, 1131 (2000)
Е.Г. Голикова, В.П. Дураев, С.А. Козиков, В.Г. Кригель, О.А. Лабутин, В.И. Швейкин. Квантовая электроника, 22, 85 (1995)
Е.Г. Голикова, В.А. Горбылёв, Н.Ю. Давидюк, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (6), 5 (2000)
E.P. O'Reilly, A. Ghiti. In: Quantum Well Lasers, ed. by P.S. Zory Jr. (Boston, Academic Press Inc., 1991)
G.G. Zegrya. Mid-Infrared Strained Diode Lasers in Antimonide-Related Strained-Laser Heterostructures, ed. by M.O. Manasreh (Gordon and Breach Science Publishers, Amsterdam, 1997) p. 273
A. Al-Muhanna, L.J. Mawst, D. Botez, D.Z. Garbuzov, R.U. Martinelli, J.C. Connolly. Appl. Phys. Lett., 73, 1182 (1997)
Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101, 327 (1992)
A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya. Phys. Rev. B, 58, 4039 (1998)
Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ЖЭТФ, 113, 1491 (1998)
M. Asada. In: Quantum Well Lasers, ed. by P.S. Zory Jr. (Boston, Academic Press Inc., 1991); M. Asada. IEEE J. Quantum Electron., QE-25, 2019 (1989)
G.G. Zegrya, N.A. Gunko, I.A. Kostko, G.V. Skrynnikov. Proc. Int. Semicond. Conf. (Romania, 2001)
IEEE Photon. Technol. Lett., 5, (2) 120 (1993)
L.V. Asryan, N.A. Gun'ko, A.S. Polkovnikov, R.A. Suris, G.G. Zegrya, B.B. Elenknig, S. Smetora, J.G. Simmons, Pey-Kee Lay, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 14, 1069 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель