"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Молекулярно-динамическое моделирование структурных свойств твердых растворов замещения Ge1-xSnx
Дейбук В.Г.1, Королюк Ю.Г.1
1Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 18 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

Исследованы структурные свойства твердых растворов замещения Ge1-xSnx при помощи метода молекулярной динамики с использованием трехчастичного потенциала Терсоффа. Рассчитаны концентрационные зависимости парных функций распределения, полной энергии системы, длин связей в композиционно неупорядоченных сплавах. Получено удовлетворительное согласие между рассчитанными и экспериментальными значениями постоянных решетки. Показано, что закон Вегарда выполняется при x<0.7.
  1. Ф.Ф. Сизов, Ю.Н. Козырев, В.П. Кладько, С.В. Пляцко, В.М. Огенко, А.П. Шевляков. ФТП, 31, 922 (1997)
  2. S. Oguz, W. Paul, T.F. Deutsh, B.-Y. Tsaur, D.V. Murphy. Appl. Phys. Lett., 43, 848 (1983)
  3. Ф. Красильник, А.В. Новиков. УФН, 170, 338 (2000)
  4. K.A. Mader, A. Baldereschi, H. von Kanel. Sol. St. Commun., 69, 1123 (1989)
  5. T. Soma, H. Matsuo Kagaya. Phys. St. Sol. (b), 147, 109 (1988)
  6. J. Tersoff. Phys. Rev. B, 39, 5566 (1989)
  7. D.W. Brenner. Phys. St. Sol. (b), 217, 23 (2000)
  8. F. Benkabou, P. Becker, M. Certier, H. Aourag. Phys. St. Sol. (b), 209, 223 (1998)
  9. A. Chen, A. Sher. Semiconductor alloys: Physics and material engineering (N.Y., Plenum Press, 1995)
  10. М. Гулд, Я. Тобочник. Компьютерное моделирование в физике (М., Мир, 1990) т. 1
  11. Дж. Займан. Модели беспорядка (М., Мир, 1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.