"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Гетероэпитаксия полупроводниковых соединений AIIBVI на охлажденной подложке
Беляев А.П.1, Рубец В.П.1
1Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

Cообщается о результатах исследования процессов формирования высокоориентированных пленок на подложке, охлажденной до отрицательных по шкале Цельсия температур при конденсации в вакууме теллурида и сульфида кадмия. Приводятся данные технологических, электронографических и рентгенографических исследований. Построены диаграммы конценсации. Выявлены режимы, отличающиеся аномально низкой скоростью формирования пленок. Установлена корреляция между этими режимами и свойствами формирующейся структуры. Проводится сопоставление результатов с данными, полученными при исследовании процессов формирования высокоориентированных пленок золота в резко неравновесных условиях. Демонстрируется соответствие экспериментальных результатов солитонной модели гетероэпитаксии.
  1. А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. ФТТ, 39 (2), 382 (1997)
  2. А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. Неорг. матер., 34 (3), 281 (1998)
  3. А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. ФТП, 31 (8), 966 (1997)
  4. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН, 168 (10), 1083 (1998)
  5. И.П. Калинкин, В.Б. Алесковский, А.В. Симашкевич. Эпитаксиальные пленки соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- (Л., 1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.