Вышедшие номера
Перенос носителей заряда в наноразмерных периодических структурах Si/CaF2 с участием ловушек
Берашевич Ю.А.1, Данилюк А.Л.1, Холод А.Н.1, Борисенко В.Е.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 28 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.

Предложена модель переноса носителей заряда в наноразмерных периодических структурах Si/CaF2 с участием ловушек в диэлектрике. Моделирование вольт-амперных характеристик таких структур показало, что участие ловушек в токопереносе на 2-3 порядка увеличивает общий переносимый заряд и может стать причиной немонотонной вольт-амперной характеристики. При этом на величину переноса по уровням ловушек оказывают влияние положение энергетического уровня, соответствующего ловушкам, число состояний в ловушке на траектории движения носителей заряда, величина отклонения траектории движения от прямолинейной, толщина диэлектрика и высота потенциального барьера.