Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Резонансное туннелирование X-электронов в структурах AlAs/GaAs(111). Псевдопотенциальный расчет и модель

Караваев Г.Ф.¹, Чернышов В.Н.¹

¹Физико-технический институт Сибирского отделения Российской академии наук, Томск, Россия

Поступила в редакцию: 22 февраля 2000 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.

PDF версия

Рассмотрено резонансное туннелирование X-электронов в гетероструктурах AlAs/GaAs (111) с AlAs в качестве электродов. Расчет в модели с разрывным на границах потенциалом проведен методом матрицы рассеяния, комплексная зонная структура определялась методом эмпирического псевдопотенциала. Найдены резонансные пики в коэффициенте прохождения, связанные с X-состояниями в AlAs и L-состояниями в GaAs. Предложена модель для описания данных процессов.

S.de Gironncoli, S. Baroni, R. Resta. Phys. Rev. Lett., 62, 2853 (1989)
M. Livingstone, I. Galbraith, B.S. Wherrett. Nuovo Cim., 17, 1595 (1995)
L. Cong, E. Williamson, M.J. Nathan. Electron. Matter., 25, 305 (1995)
B.J. Garcia, C. Fontaine, W.W. Ruhle, J. Collet, A. Ponchet. Microelectron. J., 26, 777 (1995)
A. Chin, K. Lee. Appl. Phys. Lett., 68, 347 (1996)
R.K. Hayden, T. Takamasu, N. Miura, M. Henini, L. Eaves, G. Hill. Techn. Rept. ISSP, N 3148, 1 (1996)
T. Watanabe, T. Yamamoto, P.O. Vassaro, H. Ohnishi, K. Fujita. Microelectron. J., 27, 411 (1996)
G. Wang, P. Trong, R. Melliti, E. Mao, A. Majerfield, A. Sanz-Herevas, J. Depeyrot, B.W. Kim. Phys. St. Sol., 164, 117 (1997)
Г.Ф. Караваева, С.Н. Гриняев. Изв. вузов. Физика, N 9, 91 (1998)
D.Y. Ko, J.S. Inkson. Phys. Rev. B, 38, 9945 (1988)
С.Н. Гриняев, В.Н. Чернышов. ФТП, 26, 2057 (1992)
Г.Ф. Караваев, С.Н. Гриняев, В.Н. Чернышов. Изв. вузов. Физика, N 9, 64 (1992)
В.А. Чалдышев, С.Н. Гриняев. Изв. вузов. Физика, N 3, 38 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель