"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Нанорельеф поверхности GaN: влияние сульфидной обработки
Бессолов В.Н.1, Жиляев Ю.В.1, Заварин Е.Е.1, Компан М.Е.1, Коненкова Е.В.1, Усиков А.С.1, Федирко В.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Московский государственный технологический университет "Станкин", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

Атомно-силовая микроскопия и фотолюминесценция использованы для изучения нанорельефа поверхности GaN (0001), обработанной в растворах сульфида натрия. Показано, что после сульфидной обработки мелкомасштабный рельеф поверхности слоя существенно сглаживается.
  • M.S. Shur, M.A. Khan. In: Semiconductors and Semimetals (1999) v. 57, ch. 10, p. 407
  • Gmelin Handbook of Inorganic and Organometallic Chemistry, ed. by H. Katscher, B. Mohsin (Springer, Berlin, 1996) suppl. v. C2, p. 181
  • M.S. Minsky, M. White, E.L. Hu. Appl. Phys. Lett., 68, 1531 (1996)
  • N.V. Edwards, M.D. Bremser, T.W. Weeks Jr., R.S. Kern, R.F. Davus, D.E. Aspnes. Appl. Phys. Lett., 69, 2065 (1996)
  • J.L. Weyher, S. Muller, I. Grzegory, S. Porowski. J. Cryst. Growth, 182, 17 (1997)
  • В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32, 1281 (1998)
  • Yu.V. Zhilyaev, M.E. Kompan, E.V. Konenkova, S.D. Raevskii. MRS-NSR: Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G6.14 (1998)
  • J.K. Kim, J.L. Lee, J.W. Lee, Y.J. Park, T. Kim. J. Vac. Sci. Technol. B, 17 (2), 497 (1999)
  • J.S. Jang, S.-J. Park, I.Y. Seong. J. Vac. Sci. Technol. B, 17 (6), 2667 (1999)
  • X.A. Cao, S.J. Pearton, G. Dang, A.P. Zhang, F. Ren, J.M. Van Hove. Appl. Phys. Lett., 75 (26), 4130 (1999)
  • W.V. Lundin, A.S. Usikov, B.V. Pushnyi, U.I. Ushakov, M.V. Stepanov, N.M. Shmidt, A.V. Sakharov, Yu.M. Zadiranov, S.M. Suturin, V. Busov. Mater. Sci. Forum, 264, 1125 (1998)
  • М.Е. Компан, И.Ю. Шабанов. ФТТ, 39 (7), 1030 (1997)
  • S. Strie, H. Morkoc. J. Vac. Sci. Technol. B, 10 (4), 1237 (1992)
  • N. Dyakonova, A. Dickons, M.S. Shur, R. Gaska, J.W. Yang. Appl. Phys. Lett., 72, 2562 (1998)
  • Z.Z. Bandic, P.M. Bridger, E.C. Piquette, T.C. McGill. Appl. Phys. Lett., 73 (22), 3276 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.