"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности фотоэлектрических свойств изотипных и анизотипных гетеропереходов Si/GaN<O>
Александров C.Е.1, Гаврикова Т.А.1, Зыков В.А.1
1Cанкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

Приводятся результаты комплексного исследования электрических и фотоэлектрических свойств изотипных (p-Si/p-GaN<O>) и анизотипных (n-Si/p-GaN<O>) гетеропереходов, изготовленных химическим осаждением пленок твердых растворов GaN<O> на кремниевые подложки путем пиролитического разложения моноаммиаката хлорида галлия в присутствии паров воды. В токовом режиме при прямых и обратных смещениях проведены измерения интегральной и спектральной фоточувствительности, кинетики фотоответа; исследованы вольт-амперные характеристики, фотоэдс насыщения. Установлено, что в обоих типах гетеропереходов распределение зарядов в приконтактных областях определяется преимущественно захватом носителей на граничные состояния (плотность которых по оценке составляет ~ 1014-1015 см-2) с образованием обедненных слоев по обе стороны от границы раздела. Проанализированы механизмы формирования фоточувствительности в анизотипных и изотипных гетеропереходах. Показано, что дифференциальный вид кинетики фотоотклика связан с перезарядкой состояний на границе раздела компонентов. Сильный рост фотоотклика изотипного гетероперехода при приложении смещения связывается с фототранзисторным эффектом. Предложенные модели энергетических зон гетеропереходов непротиворечиво объясняют наблюдаемые эффекты.
  • С.Е. Александров, Т.А. Гаврикова, В.А. Зыков. ФТП, 34, 297 (2000)
  • А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., 1975)
  • Л.Г. Бакуева, В.И. Ильин, С.Ф. Мусихин, О.В. Рабизо, А.Я. Шик. ФТП, 16, 1416 (1982)
  • М.Г. Ермаков, В.И. Поляков, П.И. Петров, М.И. Елинсон. ФТП, 18, 115 (1984)
  • S.C. Dehlberg, W. Orr. Surf. Sci., 67, 226 (1977)
  • S.C. Dehlberg, J.R. Chelikowsky, W.Orr. Phys. Rev. B, 15, 3163 (1977)
  • A.J. Steckl, H. Elabd, K.Y. Tam, S.P. Sheu, M.E. Motabedi. IEEE Trans. El. Dev., ED-27, 126 (1980)
  • А.Я. Шик. ФТП, 16, 1411 (1982)
  • S. Yawata, R.L. Anderson. Phys. St. Sol., 12, 297 (1965)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.