"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Основные принципы послеростового отжига слитка CdTe : Cl для получения полуизолирующих кристаллов
Матвеев О.А.1, Терентьев А.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

Исследован процесс отжига слитка CdTe : Cl при охлаждении его после выращивания. Отжиг производился в 2 этапа: высокотемпературный этап, когда при термодинамическом равновесии кристалла с паром летучих компонентов устанавливается примерное равенство концентраций хлора и вакансий кадмия, и низкотемпературный этап, когда заряженные дефекты взаимодействуют с образованием нейтральных ассоциатов. Определены необходимые для получения полуизолирующего кристалла концентрации легирования хлором для различных скоростей охлаждения слитка на высокотемпературном этапе. Определена зависимость концентрации примеси [Cl+Te] в слитке от температуры его отжига на высокотемпературном этапе. Получены значения времен жизни и дрейфовых подвижностей носителей заряда в кристалле в зависимости от температуры и от давления паров кадмия при послеростовом отжиге слитка.
  • L.V. Maslova, O.A. Matveev, S.M. Ryvkin, A.Kh. Khusainov, A.I. Terent'ev. Revue Phys. Appl., 12, 291 (1977)
  • Е.Н. Аркадьева, Л.В. Маслова, О.А. Матвеев, С.В. Прокофьев, С.М. Рывкин, А.Х. Хусаинов. ДАН СССР, 225, 77 (1975); O.A. Matveev, A.I. Terent'ev. Proc. 11-=SUP=-th-=/SUP=- Workshop on Room Temperature Semiconductor X- and Gamma-ray Detectors and Associated Electronics (Vienna, Austria, 1999) p. 56
  • R.O. Bell, F.V. Wald, C. Canaly, F. Nava, G. Ottaviani. IEEE Trans. N.S., NS-21, 331 (1974)
  • R. Triboulet, Iv. Marfaing, A. Cornet, P. Siffert. J. Appl. Phys., 45, 2759 (1974)
  • О.А. Матвеев, Е.Н. Аркадьева, Л.А. Гончаров. ДАН СССР, 221, 325 (1975)
  • K. Zanio. Semiconductor and Semimetals (San Francisco--London--N. Y., 1978) v. 13, p. 230
  • О.А. Матвеев, А.И. Терентьев. ФТП, 27, 1894 (1993)
  • О.А. Матвеев, А.И. Терентьев. ФТП, 32, 159 (1998)
  • О.А. Матвеев, А.И. Терентьев. ФТП, 29, 378 (1995)
  • Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов (М., Мир, 1969)
  • E.N. Arkadyeva, O.A. Matveev. Rev. Phys. Appl., 12, 239 (1977)
  • H.H. Woodbury, R.B. Hall. Phys. Rev., 157, 641 (1967)
  • Физика и химия соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=-, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970)
  • Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев, Е.Н. Мельникова, А.И. Терентьев. ФТП, 14, 1415 (1980)
  • T.J. Magee, J. Peng, J. Bean. Phys. St. Sol. (a), 27, 557 (1975)
  • H.H. Woodbury. Proc. Int. Conf. on Defect Characterization: Diffusivity and Electrical Measurment in II--VI Semiconducting Compounds (W.A. Benjamin Inc., N. Y., 1967) p. 244
  • H.R. Vydyanath, J. Ellsworth, J.J. Kennedy, B. Dean, C.J. Johnson, G.T. Nengebanez, J. Sepich, Pok-Kai Lino. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1476 (1992)
  • J.H. Greenberg, V.N. Guskov, V.B. Lazarev, O.V. Shekershneva. J. Sol. St. Chem., 102, 382 (1993)
  • А. Дамаск, Дж. Динс. Точечные дефекты в металлах (М., Мир, 1966) с. 291
  • М.В. Алексеенко, Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев. ФТП, 4, 414 (1970)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.