Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О механизме образования пористого кремния
Горячев Д.Н.1, Беляков Л.В.1, Сресели О.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 20 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.
Предложен новый, рассматриваемый на качественном уровне, механизм зарождения и начальных стадий роста пор при образовании пористого кремния ( por-Si). При этом основное внимание уделено реакции взаимного обмена зарядами между ионами Si2+, образующимися при электролитическом или химическом окислении исходного кремния (реакции диспропорционирования). Предлагаемый механизм в значительной степени устраняет многие противоречия, присущие ранее предложенным схемам образования por-Si, и, в частности, объясняет особенности морфологии por-Si, получаемого в различных экспериментальных условиях. Значительное внимание уделено влиянию освещения в этих процессах.
- A. Uhlir. Bell. Syst. Tech. J., 35, 333 (1956)
- R.L. Smith, S.D. Collins. J. Appl. Phys., 71, R1 (1992)
- L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1991)
- M.J.J. Theunissen. J. Electrochem. Soc., 119, 351 (1972)
- Кремний, сб. под ред. Д.А. Петрова (М., ИЛ, 1960)
- P. Allongue, V. Costa-Keiling, H. Gerischer. J. Electrochem. Soc., 140, 1009 (1993)
- Y. Kang, J. Jorne. J. Electrochem. Soc., 140, 2258 (1993)
- A. Valance. Phys. Rev. B, 52, 8323 (1995); Phys. Rev. B, 55, 9706 (1997)
- P. Allongue, C.H. de Villeneuve, L. Pinsard, M.C. Bernard. J. Appl. Phys., 67, 941 (1995)
- J.E. Peou, C.H. de Villeneuve, F. Boutry-Forveille, C. Levy-Klement, P. Allongue. In: Pits and Pores: Formation, Properties, and Significance for Advanced Luminescent Materials, ed. by P. Schmuki and al. [ Electrochem. Soc. Proc. (Pennington, USA, 1997) v. 97-7, p. 83]
- C. Levy-Clement, A. Logoubi, M. Tomkiewicz. J. Electrochem. Soc., 141, 958 (1994)
- E.S. Kooij, D. Vanmaekelbergh, J.J. Kelly. In: Pits and Pores: Formation Properties, and Significance for Advanced Luminescent Materials, ed. by P. Schmuki et al. [ Electrochem. Soc. Proc. (Pennington, USA, 1997) v. 97-7, p. 70]
- A.G. Cullis, L.T. Canham, D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
- P.M. Faushet. In: Pits and Pores: Formation Properties, and Significance for Advanced Luminescent Materials, ed. by P. Schmuki et al. [ Electrochem. Soc. Proc. (Pennington, USA, 1997) v. 97-7, p. 27]
- O. Teschke, M.S. dos Santos, M.U. Kleinke, D.M. Soares, D.S. Galvao. J. Appl. Phys., 78, 590 (1995)
- Д.Н. Горячев, О.М. Сресели. ФТП, 31, 1383 (1997) [Semiconductors, 31, 1192 (1997)]
- D.R. Turner. In: The Electrochemistry of Semiconductors, ed. by P.J. Holms (Academic, London, 1962)
- R. Memming, G. Schwandt. Surf. Sci., 4, 109 (1966)
- L.M. Peter, D.J. Blackwood, S. Pons. Phys. Rev. Lett., 62, 308 (1989)
- J. Eddowes. J. Electroanal. Chem., 280, 297 (1990)
- D. Brumhead, L.T. Canham, D.M. Seekings, P.J. Tufton. Electrochem. Acta, 38, 191 (1993)
- F. Kozlowski, W. Lang. J. Appl. Phys., 72, 5401 (1992)
- R.B. Wehrspohn, J.-N. Chazalviel, F. Ozanam, I. Solomon. Thin Sol. Films, 297, 5 (1997)
- Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 27, 1961 (1993) [Semiconductors, 27, 1078 (1993)]
- P. Steiner, F. Kozlovski, W. Lang. IEEE Electron. Dev. Lett., 14, 317 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
