"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Свойства гетероструктур диодного типа на основе нанокристаллического n-SnO2 на p-Si в условиях газовой адсорбции
Васильев Р.Б.1, Гаськов А.М.1, Румянцева М.Н.1, Рыжиков А.С.1, Рябова Л.И.1, Акимов Б.А.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

Синтезированы гетероструктуры n-SnO2(Me) / p-Si (Me: Cu, Pd, Ni) с толщиной слоя SnO2 0.8-1 мкм. Средний размер кристаллита диоксида олова составлял 6-8 нм. Вольт-амперные характеристики структур измерены в осушенном воздухе и в условиях адсорбции молекул NO2 и C2H5OH. Вольт-амперные характеристики в атмосфере воздуха удовлетворительно описываются в рамках диодной теории с высокими значениями коэффициента неидеальности: beta~8-18. Адсорбция газовых молекул приводит к существенной модификации вольт-амперных характеристик как в области прямых, так и в области обратных смещений. Вид вольт-амперных характеристик объясняется с учетом активационных переходов через барьер, высота которого может как уменьшаться, так и увеличиваться в зависимости от типа адсорбированной молекулы, и изменения характера туннельных процессов на гетероконтакте.
  • I. Lundstrom, S. Shivaraman, C. Svensson, L.A. Lundkvist. Appl. Phys. Lett., 26, 55 (1975)
  • L.G. Ekedahl, M. Eriksson, I. Lundstrom. Acc. Chem. Res., 31, 249 (1998)
  • W.P. Kang, C.K. Kim. Appl. Phys. Lett., 63, 421 (1993)
  • A.D'Amico, G. Fortunato, G. Petrocco, C. Coluzza. Appl. Phys. Lett., 42, 964 (1983)
  • L.M. Lechuga, A. Calle, D. Golmayo, F. Briones. Sens. Actuators B, 4, 515 (1991)
  • U. Hoefer, H. Bottner, E. Wagner, C.D. Kohl. Sens. Actuators B, 47, 213 (1998)
  • Y. Ushio, M. Miyayama, H. Yanagida. Sens. Actuators B, 12, 135 (1993)
  • Y. Ushio, M. Miyayama, H. Yanagida. Sens. Actuators B, 17, 221 (1994)
  • W. Zhang, H. Uchida, T. Katsube, T. Nakatsubo, Y. Nishioka. Sens. Actuators B, 49, 58 (1998)
  • Р.Б. Васильев, М.Н. Румянцева, Л.И. Рябова, Б.А. Акимов, А.М. Гаськов, М. Лабо, М. Лангле. Письма ЖТФ, 25, 22 (1999)
  • M.N. Rumyantseva, A.M. Gaskov, L.I. Ryabova, J.P. Senateur, B. Chenevier, M. Labeau. Mater. Sci. Eng., 41, 333 (1996)
  • M. Rumyantseva, M. Labeau, G. Delabouglise, L. Ryabova, A. Gaskov. J. Mater. Chem., 7, 1785 (1997)
  • C.G. Fonstad, R.H. Rediker. J. Appl. Phys., 42, 2911 (1971)
  • Б.А. Акимов, А.М. Гаськов, М. Лабо, М.М. Осипова, М.Н. Румянцева, Л.И. Рябова. Вестн. МГУ. Сер. 3. Физика, астрономия, N 5, 60 (1996)
  • Б.А. Акимов, А.М. Гаськов, М. Лабо, С.Е. Подгузова, М.Н. Румянцева, Л.И. Рябова, А. Тадеев. ФТП, 33, 205 (1999)
  • V.E. Henrich, P.A. Cox. The surface science of metal oxides (Cambridge University Press, 1996)
  • J.A. Agapito, J.P. Santos. Sens. Actuators B, 31, 93 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.