Электронно-ионный обмен на межфазных границах диэлектрик--полупроводник и его влияние на транспорт ионов в изолирующем слое
Гольдман Е.И.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 11 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.
Построена теория ионного переноса в изолирующих слоях на поверхности полупроводников. Учтены процессы нейтрализации ионов, распада нейтральных ассоциатов ион + электрон, ионного дрейфа и диффузии нейтральных ассоциатов. Теория позволяет разрешить противоречие в интерпретации экспериментальных данных о ионной деполяризации слоев SiO2, которые проявляют себя взаимоисключающе: и как система ионных ловушек с широким распределением времен жизни, и как среда со свободными ионами. Роль ловушек играют нейтральные ассоциаты; широкое распределение времен жизни обусловлено разбросом длин туннелирования электронов при распаде ассоциатов. Повышение степени ионизации при квазистационарном уменьшении электрического поля обеспечивает плавный переход от совокупности малоподвижных нейтральных ассоциатов к ансамблю свободных ионов.
- M. Yamin. IEEE Trans. Electron. Dev., 12, 88 (1965)
- C. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) 7.3.2
- E.H. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology (N. Y., 1982) ch. 15
- J.V. Verwey, E.A. Amerasekera, J. Bisschop. Rep. Progr. Phys., 53, 1297 (1990)
- T.W. Hickmott. J. Appl. Phys., 46, 2583 (1975)
- M.R. Boundry, J.P. Stagg. J. Appl. Phys., 50, 942 (1979)
- J.P. Stagg, M.R. Boundry. J. Appl. Phys., 52, 885 (1981)
- M.W. Hillen, D.G. Hemmes. Sol. St. Electron., 24, 773 (1981)
- C. Choquet, C. Plossu, M. Berenguer, B. Balland. Thin Sol. Films, 167, 45 (1988)
- S.R. Hofstein. Appl. Phys. Lett., 10, 291 (1967)
- R.J. Kriegler, T.F. Devenyi. Thin Sol. Films, 36, 435 (1976)
- M. Kuhn, D.J. Silversmith. J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Sci., 118, 966 (1971)
- A.G. Tangena, J. Middelhock, N.F. de Rooij. J. Appl. Phys., 49, 2876 (1978)
- A.G. Tangena, N.F. de Rooij, J. Middelhock. J. Appl. Phys., 49, 5576 (1978)
- N.J. Chou. J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Sci., 118, 601 (1971)
- W. Marciniak, H.M. Przewlocki. J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Sci. Techn., 123, 1207 (1976)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 33(8), 933 (1999)
- Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985) гл. 3
- I. Lundstrom, C. Svensson. J. Appl. Phys., 43, 5045 (1972)
- G. Greeuw, B.J. Hoenders. J. Appl. Phys., 55, 3371 (1984)
- E.I. Goldman, A.G. Zhdan. Semicond. Sci. Technol., 5, 675 (1990)
- J.G. Simmons, L.S. Wei. Sol. St. Elecron., 17, 117 (1974)
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 31, 1468 (1997)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 33(8), 962 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
