"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Структурные исследования с помощью просвечивающей электронной микроскопии нелегированного и легированного кремнием GaN, выращенного на подложке Al2O3
Черкашин Н.А.1, Берт Н.А.1, Мусихин Ю.Г.1, Новиков С.В.1, Cheng T.S.2, Foxon C.T.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, England, UK
Поступила в редакцию: 9 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

Методы просвечивающей электронной микроскопии исследована микроструктура пленок GaN (0001), нелегированных и легированных кремнием с концентрациями 1017 см-3 и 1018 см-3, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Al2O3 (0001) без нитридизации и буферного слоя. Проведены исследования дефектных структур, включающих в себя инверсионные домены, полые трубки и дефекты упаковки в базовой плоскости (0001). Прослежено влияние легирования кремнием на плотность прорастающих дислокаций и размеры зерен GaN, ограниченных инверсионными доменами. Показано, что при концентрации легирующего кремния 1017 см-3 происходит сглаживание ступенчатого рельефа поверхности пленки GaN.
  • S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matasushita, K. Kiyoku, Y. Sugimoto. Jpn. J. Appl. Phys., 35, L74 (1996)
  • X.H. Wu, L.M. Brown, D. Kapolnek, S. Keller, B. Keller, S.P. DenBaars, J.S. Speck. J. Appl. Phys., 80, 3228--3237 (1996)
  • J.-L. Rouvier, M. Arlery, A. Bourret. Proc. Royal Micros. Soc. Conf. Microsc. Semicond. Mater. (Oxford, 1997) v. 157, p. 173
  • D. Cherns, W.T. Young, M.A. Saunders, F.A. Pance, S. Nakamura. Proc. Royal Micros. Conf. Microsc. Semicond. Mater. (Oxford, 1997) v. 157, p. 187
  • V. Potin, P. Ruterana, G. Nouet, A. Salvador, H. Morkoc. Proc. Royal Micros. Soc. Conf. Microsc. Semicond. Mater. (Oxford, 1997) v. 157, p. 191
  • D.M. Tricker, M.K.H. Natusch, C.B. Boothroyd, Y. Xin, P.D. Brown, T.S. Cheng, C.T. Foxon, C.J. Humphreys. Proc. Royal Micros. Soc. Conf. Microsc. Semicond. Mater. (Oxford, 1997) v. 157, p. 217
  • S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, T. Suski, J.W. Ager III, J. Washburn, J. Krueger, C. Kisielowski, E.R. Weber, H. Amano, I. Akasaki, Appl. Phys. Lett., 69, 990 (1996)
  • Z. Liliental-Weber, Y. Chen, S. Ruvimov, J. Washburn. Phys. Rev. Lett., 79, 2835 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.