Исследуется фотоэффект в МДП структуре на основе Cd_0.28Hg_0.72Te с низкотемпературным пиролитическим SiO₂ и In толщиной 5000 Angstrem, площадью 0.5x0.5 мм. Для МДП структуры с непрозрачным полевым электродом наблюдаемый фотоэффект заключается в изменении емкости и высокочастотной проводимости МДП структуры, он определяется фотоносителями, образующимися вне МДП структуры и достигающими ее за счет диффузии или по поверхностному каналу. Это происходит, когда МДП структура находится в состоянии инверсии; при этом образуется вихревой электрический ток, который пересекает индуцированный p-n-переход и замыкается сам на себя на периферии МДП структуры. В работе считается, что этот ток и дополнительное напряжение на p-n-переходе связаны между собой формулой Шокли. Определены следующие параметры: beta - коэффициент в формуле Шокли, характеризующий неидеальность p-n-перехода; R₀A - произведение сопротивления при нулевом смещении на площадь p-n-перехода; Delta S - площадь сбора фотоносителей. Получено: beta=1.52; R₀A=2.7·10⁵ Ом·см²; Delta S соответствует полоске по периметру МДП структуры шириной 15 мкм. Исследуемая МДП структура рассмотрена как фотоприемник.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.