Методом in situ измерений эффекта Холла при комнатной температуре показано, что формирование атомарно-чистой поверхности кремния Si (111) 7x 7 при высокотемпературном отжиге (T=1250^oC, t=120-180 с) кремния n-типа проводимости приводит к смене знака основных носителей тока на поверхности, а на поверхности кремния p-типа образуется обогащенный дырками слой. Различная динамика изменений холловского напряжения и напряжения сопротивления в пределах первого монослоя адсорбции железа на подложки как с p-n-переходом, так и со слоем, обогащенным дырками, не связана с проводимостью по адсорбированному слою. Проводимость в слое железа с толщиной более трех монослоев обусловлена в обоих случаях переносом электронов со слоевой концентрацией 2· 10¹³-2· 10¹⁴ см^-2 и подвижностью 65-90 см²/(В·с).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.