Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов в полупроводниках
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия 
Поступила в редакцию: 25 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.
Методом минимизации свободной энергии реального кристалла проводится расчет сложных дефектов в полупроводниках. Рассматривается влияние электронной подсистемы на процесс растворения примеси. Проведено моделирование кривых солидуса с учетом парной ассоциации и кластеризации.
- В.И. Фистуль. Физика и химия полупроводников (М., Металлургия, 1995)
- В.М. Глазов, В.С. Земсков. Физико-химические основы легирования полупроводников (М., Наука, 1967)
- С.В. Буляровский, В.И. Фистуль. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1997)
- C.V. Bulyarskii, V.P. Oleinikow. Phys. St. Sol. (b), 141, K7 (1987)
- C.V. Bulyarskii, V.P. Oleinikow. Phys. St. Sol. (b) 146, 439 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
