Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Поглощение и фотопроводимость в компенсированном бором mu c-Si:H

Казанский А.Г.¹, Мелл Х.², Теруков Е.И.³, Форш П.А.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

²Philipps-Universitat Marburg, Fachbereich Physik,, Marburg, Germany
³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 12 июля 1999 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы поглощение, проводимость и фотопроводимость фоточувствительного слабо легированного бором mu c-Si:H. Зависимости фотопроводимости от температуры и интенсивности света измерены в области температур 100/ 400 K для различных энергий квантов (0.9, 1.3 и 1.8 эВ). Полученные результаты объясняются определяющим вкладом микрокристаллической фазы и состояний на границах раздела микрокристаллов в перенос и рекомбинацию неравновесных носителей в mu c-Si:H. Рассмотрены возможные механизмы рекомбинации и изменение их роли с температурой.

M.J. Williams, C. Wang, G. Lucovsky. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 219, 389 (1991)
I. Beckers, N.H. Nickel, W. Pilz, W. Fuhs. J. Non-Cryst. Sol., 227-- 230, 847 (1998)
P.G. LeComber, G. Willeke, W.E. Spear. J. Non-Cryst. Sol., 59\&60, 795 (1983)
G. Lucovsky, C. Wang. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 219, 377 (1991)
R. Fluckiger, J. Meier, M. Goetz, A. Shah. J. Appl. Phys., 77, 712 (1995)
M. Bruggemann, A. Hierzenberger, P. Reining, M. Rojahn, M.B. Schubert, S. Schweizer, H.N. Wanka, I. Zrinscak. J. Non-Cryst. Sol., 227--230, 982 (1998)
D. Ruff, H. Mell, L. Toth, I. Sieber, W. Fuhs. J. Non-Cryst. Sol., 227--230, 1011 (1998)
F. Siebke, S. Yata, Y. Hishikawa, M. Tanaka. J. Non-Cryst. Sol., 227--230, 977 (1998)
N. Beck, J. Meier, J. Fric, Z. Remes, A. Poruba, R. Fluckiger, J. Pohl, A. Shah, M. Vanecek. J. Non-Cryst. Sol., 198--200, 903 (1996)
M. Vanecek, A. Poruba, Z. Remes, N. Beck, M. Nesladek. J. Non-Cryst. Sol., 227--230, 967 (1998)
H.N. Liu, Y.L. He, F. Wang, S. Crebner. J. Non-Cryst. Sol., 164--166, 1005 (1993)
P. Torres, J. Meier, R. Fluckiger, J.A. Selvan, H. Keppner, A. Shah, S.D. Littlewood, I.E. Kelly, I. Giannoules. Appl. Phys. Lett., 69, 1373 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель