"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Классификация электрических свойств пористого кремния
Зимин С.П.1
1Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия
Поступила в редакцию: 23 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.

На основе различий в структуре пористого кремния и в процессах формирования в нем областей, обедненных носителями тока, проведена классификация электрических свойств пористого материала. Показано, что пористый кремний может быть поделен на 4 группы, каждая из которых обладает своим набором отличительных черт. Для каждой группы описаны наиболее вероятные свойства переходов металл/<пористый кремний> и <пористый кремний>/<монокристаллический кремний>. Показано, что многообразие электрических свойств пористого кремния и его контактов с металлическим электродом и кремниевой подложкой приводят к экспериментально наблюдаемому широкому набору характеристик многослойных структур с пористыми слоями.
  • Mater. Int. Conf. "Porous Semiconductors --- Science and Technology" (Mallorca, Spain, 1998)
  • T. Unagami. J. Electrochem. Soc., 127, 476 (1980)
  • Д.И. Биленко, Н.П. Абаньшин, Ю.Н. Галишникова, Г.Е. Маркелова, И.Б. Мысенко, Е.И. Хасина. ФТП, 17, 2090 (1983)
  • M.I.J. Beale, J.D. Benjamin, M.J. Uren, N.G. Chew, A.G. Cullis. J. Cryst. Growth, 73, 622 (1985)
  • R.C. Anderson, R.S. Muller, C.W. Tobias. J. Electrochem. Soc., 138, 3406 (1991)
  • A.J. Read, R.J. Needs, K.J. Nash, L.T. Canham, P.D.J. Calcott, A. Qteish. Phys. Rev. Lett., 69, 1232 (1992)
  • R.Tsu, D. Babic. Appl. Phys. Lett., 64, 1806 (1994)
  • V. Lehmann, F. Hofmann, F. Muller, U. Gruning. Thin Sol. Films, 255, 20 (1995)
  • A. Richter, P. Steiner, F. Kozlowsky, W. Lang. IEEE Electron. Dev. Lett., 12, 691 (1991)
  • Properties of porous silicon, N 18, ed. by L. Canham (Malvern, DERA, 1997)
  • Л.А. Балагуров. Материаловедение, N 1, 50 (1998); Л.А. Балагуров. Материаловедение, N 3, 23 (1998)
  • M. Ben-Chorin, F. Muller, F. Koch, W. Scirmacher, M. Eberhard. Phys. Rev., 51, 2199 (1995)
  • A.J. Simons, T.I. Cox, M.J. Uren, P.D.J. Calcott. Thin Sol. Films, 255, 12 (1995)
  • C. Peng, K.D. Hirschman, P.M. Fauchet. J. Appl. Phys., 80, 295 (1996)
  • Н.С. Аверкиев, А.Я. Шик. ФТП, 30, 199 (1996)
  • Н.С. Аверкиев, Л.М. Капитонова, А.А. Лебедев, А.Д. Ременюк, Н.Н. Смирнова, А.Я. Шик. ФТП, 30, 2178 (1996)
  • В.Ю. Тимошенко, Е.А. Константинова, Е. Дитрих. ФТП, 32, 613 (1998)
  • С.П. Зимин. Письма ЖТФ, 21(24), 46 (1995)
  • C. Cadet, D. Deresmes, D. Vuillaume, D. Stievenard. Appl. Phys. Lett., 64, 2827 (1994)
  • С.П. Зимин, Е.П. Комаров. Письма ЖТФ, 24(6), 45 (1998)
  • С.П. Зимин, А.Н. Брагин. ФТП, 33, 476 (1999)
  • С.П. Зимин. Письма ЖТФ, 20(7), 55 (1994)
  • E.A. Ponomarev, P. Cowache, C. Levy-Clement. Mater. Int. Conf. "Porous Semiconductors --- Science and Technology" (Mallorca, Spain, 1998) p. 23
  • А.Л. Винке, С.П. Зимин, В.Н. Палашов. Патент РФ 2054746 (1996), приоритет 13.01.93
  • F.P. Romstad, E. Veje. Phys. Rev. B, 55, 5220 (1997)
  • W.H. Lee, C. Lee, J. Lang. J. Non-Cryst. Sol., 198, 911 (1996)
  • Y. Libianiker, I. Balberg, J. Partee, J. Shinar. J. Non-Cryst. Sol., 198, 949 (1996)
  • Y. Libianiker, I. Balberg. Phys. Rev. Lett., 78, 2433 (1997)
  • С.В. Слободчиков, Х.М. Салихов, Е.В. Руссу, М.М. Мередов, А.И. Язлыева. ФТП, 31, 15 (1997)
  • Л.В. Беляков, Т.Л. Макарова, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, О.М. Сресели. ФТП, 32, 1122 (1998)
  • С.П. Зимин, Е.П. Комаров. Изв. вузов. Электроника, вып. 3, 48 (1998)
  • В.М. Демидович, Г.Б. Демидович, С.Н. Козлов, А.А. Петров. Письма ЖТФ, 24(2), 17 (1998)
  • Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982). [Пер. с англ.: E.H. Rhoderick. Metal--semiconductors contacts (Clarendon Press, Oxford, 1978)]
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1. [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y.--Toronto--Singapore, Willey--Interscience Publ., 1981)]
  • S.P. Zimin, V.S. Kuznetsov, A.V. Prokaznikov. Appl. Surf. Sci., 91, 355 (1995)
  • В.В. Чистяков, С.П. Зимин, А.Л. Винке. Патент РФ 2065226 (1996), приоритет 27.07.93
  • N.J. Pulsford, G.L.J.A. Rikken, Y.A.R.R. Kessener, E.J. Lous, A.N.J. Venhuizen. J. Luminecs., 57, 181 (1993)
  • M. Ben-Chorin, F. Moller, F. Koch. J. Appl. Phys., 77, 4482 (1995)
  • D.V. Dimitrov. Phys. Rev., 51, 1562 (1995)
  • P.H. Hao, X.Y. Hou, F.L. Zhahg, Xun Wang. Appl. Phys. Lett., 64, 3602 (1994)
  • D. Dimova-Malinovska, M. Tzolov, N. Tzenov, D. Nesheva. Thin Sol. Films, 297, 285 (1997)
  • Th. Dittrich, J. Rappich, V.Yu. Timoshenko. Appl. Phys. Lett., 70, 2705 (1997)
  • L.A. Balagurov, D.G. Yarkin, G. A. Petrovicheva, E.A. Petrova, A.F. Orlov, S.Ya. Andryushin. J. Appl. Phys., 82, 4647 (1997)
  • Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, С.В. Свечников. ФТП, 33, 327 (1999)
  • M. Ben-Chorin, F. Moller, F. Koch. Phys. Rev. B, 49, 2981 (1994)
  • С.П. Зимин, Е.П. Комаров, Ю.В. Рябкин. Изв. вузов. Электроника (1999) (в печати).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.