"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Изменение физико-химических свойств поверхности и приповерхностной области эпитаксиальных слоев n-GaAs под воздействием атомарного водорода
Торхов Н.А.1, Еремеев С.В.2,3
1Научно-исследовательский институт полупроводников (ГНПП НИИПП), Томск, Россия
2Сибирский физико-технический институт, Томск, Россия
3Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 28 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Показана прямая связь изменений статических приборных характеристик барьеров Шоттки Au-GaAs с изменениями свойств поверхности при обработке структур n-n+-GaAs в атомарном водороде, заключающимися в изменении скорости травления поверхности n-GaAs в растворе диметилформамид : моноэтаноламин = 1 : 3, уменьшении скорости электрохимического осаждения и изменении структуры осаждаемого Au-слоя, а также в пассивации выходящих на поверхность линейных дефектов. Наблюдается практически полное отсутствие фигур травления на поверхности эпитаксиального слоя n-GaAs (100) при обработке в атомарном водороде незащищенной поверхности при температуре 100oC. Для защищенной пленкой SiO2 толщиной 50 Angstrem поверхности уменьшение скорости травления материала n-GaAs и значительное уменьшение количества фигур травления, уменьшение толщины осаждаемого слоя Au, изменение его структуры наблюдаются практически во всем температурном интервале обработок в атомарном водороде (100/ 400oC).
  • В.Л. Гуртовой, В.В. Дремов, В.А. Макаренко, С.Ю. Шаповал. ФТП, 29(10), 1888 (1995)
  • J.A. Schafer, V. Persch, S. Stock, Th. Allihger, A. Goldmann. Europhys. Lett., 12(6), 563 (1990)
  • A. Kishimoto, I. Suemuni, K. Hamaoka, T. Koui, Y. Honda, M. Yamanishi. Japan. J. Appl. Phys., 29(10), 2273 (1990)
  • Э.М. Омельяновский, А.В. Пахомов, А.Я. Поляков, А.В. Говорков, О.М. Бородина, А.С. Брук. ФТП, 22(7), 1203 (1988)
  • U.K. Chakrabarti, S.J. Pearton, W.S. Hobson, J. Lopata, V. Swaminathan. Appl. Phys. Lett., 57(9), 887 (1990)
  • Э.М. Омельяновский, А.Я. Поляков. Высокочистые вещества, N 5, 5 (1988)
  • В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. ФТП, 33(11), 1343 (1998)
  • В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. Международный симпозиум "Распространение радиоволн в городе" (URPS'97), Второй международный симпозиум "Конверсия науки --- международному сотрудничеству" (Сибконверс 97). Труды симпозиумов (Томск, 1997) с. 178
  • В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. Изв. вузов. Физика, N 8, 115 (1997)
  • Н.А. Торхов, В.Г. Божков. Деп. ВИНИТИ N 313-B99 от 29.01.99
  • N.M. Johnson, D.K. Biegelsen, M.D. Moyer, V.R. Deline, C.A. Evans. Appl. Phys. Lett., 38(12), 995 (1981)
  • Н.С. Рытова. ФТП, 25(6), 990 (1991)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.