"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Реконструкционный переход (4x2)->(2x4) на поверхности (001)InAs и GaAs
Галицын Ю.Г.1, Мощенко С.П.1, Суранов А.С.1
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 15 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Детально изучены фазовые переходы между различными реконструкциями на поверхности (001)GaAs и InAs методом дифракции быстрых электронов на отражение. Предложена кинетическая схема взаимодействия As4 с поверхностью. Показано, как модифицировать основные уравнения, описывающие фазовый переход, если переходы происходят в потоке As4 вместо As2. Предложена модель перехода (4x2)->(2x4) как реконструкционного перехода в слое атомов металла, стабилизированного последующей адсорбцией мышьяка. Существенное отличие переходов в GaAs от InAs обусловлено более жесткими силовыми константами. Метастабильные разупорядоченные фазы играют важную роль в непрерывной эволюции от (2x4)beta до (4x2) фазы в GaAs.
  • Q. Xue, T. Hashizume, A. Ichimiya, T. Ohno, Y. Hasegawa, T. Sakuraj. Sci. Rep. RITU, A44, 113 (1997)
  • D.J. Chadi. J. Vac. Sci. Technol. A, 5, 834 (1987)
  • M.D. Pashley. Phys. Rev. B, 40, 10 481 (1989)
  • Э. Зенгуил. Физика поверхности (М., Мир, 1990) с. 535
  • W. Monch. Semiconductor Surfaces and Interfaces (Berlin, Springer, 1993) p. 366
  • J. Behrend, M. Wassermeier, L. Daweritz, K.H. Ploog. Surf. Sci., 342, 63 (1995)
  • J. Behrend, M. Wassermeier, K.H. Ploog. Surf. Sci., 372, 307 (1997)
  • H. Yamaguchi, Y. Horikoshi. Phys. Rev. B, 51, 9836 (1995)
  • Ю.Г. Галицын, В.Г. Мансуров, В.И. Пошевнев, Р.А. Соколов. Поверхность, 7, 59 (1992)
  • C. Sasaoka, Y. Kato, A. Usui. Appl. Phys. Lett., 62, 2338 (1993)
  • Yu.G. Galitsyn, V.G. Mansurov, I.I. Marahovka. Phys. Low-Dim. Struct., 5/6, 75 (1997)
  • Yu.G. Galitsyn, V.G. Mansurov, I.I. Marahovka. Phys. Low-Dim. Struct., 7, 55 (1997)
  • Ю.Г. Галицын, И.И. Мараховка, С.П. Мощенко. ДАН, 359, 48 (1998)
  • Ю.Г. Галицын, И.И. Мараховка, С.П. Мощенко, В.Г. Мансуров. Письма ЖТФ, 24, 31 (1998)
  • E.S. Tok, J.H. Neave, J. Zang, F.E. Allegretti, B.A. Joyce, T.S. Jones. Surf. Sci., 371, 277 (1997)
  • C.T. Foxon, B.A. Joyce. Surf. Sci., 50, 434 (1975)
  • J.C. Garcia, C. Neri, J. Massies. J. Cryst. Growth, 98, 511 (1989)
  • V.P. Zhdanov. Surf. Sci. Reports, 12, N 5, 185 (1991)
  • В.П. Жданов. Элементарные физико-химические процессы на поверхности (М., Наука, 1988) с. 320
  • N. Takeuchi, A. Selloni, E. Tosatti. Phys. Rev. B, 49, 10 757 (1994)
  • A.R. Avery, D.M. Holmes, T.S. Jones, B.A. Joyce, G.A. Briggs. Phys. Rev. B, 50, 8098 (1994)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.