"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Изменение сопротивления слоя кремния, обогащенного азотом, при дальнодействующем влиянии ионной имплантации
Демидов Е.С.1, Карзанов В.В.1, Марков К.А.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 3 августа 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Обнаружено улучшение изолирующих свойств синтезируемого слоя нитрида кремния под влиянием ионной обработки аргоном обратной стороны пластины кремния. Данный результат согласуется с данными инфракрасной спектроскопии, полученными авторами ранее, и связывается с эффектом дальнодействия при ионной имплантации.
  • В.В. Карзанов, П.В. Павлов, Е.С. Демидов. ФТП, 23, 2064 (1989)
  • В.Н. Мордкович. Электронная промышленность, 4, 62 (1986)
  • П.В. Павлов, Е.С. Демидов, В.В. Карзанов. Высокочистые вещества, 3, 31 (1993)
  • П.В. Павлов, К.А. Марков, В.В. Карзанов, Е.С. Демидов. Высокочистые вещества, 2, 56 (1995)
  • В.В. Карзанов, К.А. Марков, Д.В. Мастеров. Неорг. матер., 9, 34 (1998)
  • М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973) [Пер. с англ.: M. Lampert, P. Mark. Current injection in solids (N. Y.--London, Academic Press, 1970)]
  • Х. Риссел, И. Руге. Ионная имплантация (М.: Наука, 1983) [Пер. с нем.: H. Ryssel, I. Ruge. Ionenimplantation (B.G. Teubner, Stuttgart, 1978)]
  • Е.И. Зорин, П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум. Ионное легирование полупроводников (М., Энергия, 1975) гл. 2, с. 41
  • А.Б. Данилин. Электронная промышленность, 4, 55 (1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.