Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Изменение сопротивления слоя кремния, обогащенного азотом, при дальнодействующем влиянии ионной имплантации
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 3 августа 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.
Обнаружено улучшение изолирующих свойств синтезируемого слоя нитрида кремния под влиянием ионной обработки аргоном обратной стороны пластины кремния. Данный результат согласуется с данными инфракрасной спектроскопии, полученными авторами ранее, и связывается с эффектом дальнодействия при ионной имплантации.
- В.В. Карзанов, П.В. Павлов, Е.С. Демидов. ФТП, 23, 2064 (1989)
- В.Н. Мордкович. Электронная промышленность, 4, 62 (1986)
- П.В. Павлов, Е.С. Демидов, В.В. Карзанов. Высокочистые вещества, 3, 31 (1993)
- П.В. Павлов, К.А. Марков, В.В. Карзанов, Е.С. Демидов. Высокочистые вещества, 2, 56 (1995)
- В.В. Карзанов, К.А. Марков, Д.В. Мастеров. Неорг. матер., 9, 34 (1998)
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973) [Пер. с англ.: M. Lampert, P. Mark. Current injection in solids (N. Y.--London, Academic Press, 1970)]
- Х. Риссел, И. Руге. Ионная имплантация (М.: Наука, 1983) [Пер. с нем.: H. Ryssel, I. Ruge. Ionenimplantation (B.G. Teubner, Stuttgart, 1978)]
- Е.И. Зорин, П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум. Ионное легирование полупроводников (М., Энергия, 1975) гл. 2, с. 41
- А.Б. Данилин. Электронная промышленность, 4, 55 (1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
