"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Термоакцепторы в облученном кремнии
Стась В.Ф.1, Антонова И.В.1, Неустроев Е.П.1, Попов В.П.1, Смирнов Л.С.1
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 3 июня 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Приводятся результаты сравнительного анализа условий формирования мелких акцепторных центров в кремнии, облученном электронами, нейтронами и высокоэнергетичными ионами в процессе высокотемпературного отжига. Показано, что введение достаточно большой, по сравнению с исходной концентрацией примесей и дефектов, концентрации радиационных нарушений решетки Si позволяет наблюдать возникновение термоакцепторов, стабильных вплоть до температуры отжига 650oC. Предполагается, что возникновение акцепторов обусловлено процессом взаимодействия фоновых акцепторных примесей (предположительно, бора) с вакансиями, "запасенными" в многовакансионных кластерах.
  • V.V. Voronkov, R. Falster, J.C. Holzer. Electrochem. Proc., 97(22), 3 (1997)
  • M.C. Ohmer, J.E. Lang. Appl. Phys. Lett., 34, 750 (1979)
  • Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980)
  • A. Agarval, K. Christinsen, D. Venables, D.M. Maher, G.A. Rozgonyi. Appl. Phys., 69(25), 3899 (1996)
  • B.G. Svensson, C. Jagadish, A. Hallen, J. Lalita. Phys. Rev. B, 55, 10 498 (1997)
  • R.A. Brown, O. Kononchuk, G.A. Rozgonyi. S. Koveshnikov, A.P. Khights, P.J. Simpson, F. Gonzales. J. Appl. Phys., 84, 2459 (1998)
  • L.I. Fedina, A.K. Gutakovskii, L.A. Aseev. Phys. Mag. A, 77(2), 423 (1998)
  • B.C. MacEvoy, G. Hall, K. Gill. Phys. Rev. A, 374, 12 (1996)
  • J.W. Corbett, J.C. Bourgoin, L.J. Cheng, J.C. Correlli, J.H. Lee, P.M. Moonney, C. Weigel. In: Radiation Effects in Semiconductors, Conf. Ser. N 31 (Bristol--London, 1976),
  • J.H. Lee, P.R. Brosious, J.W. Corbett. Rad. Eff., 22, 69 (1974)
  • В.Ф. Стельмах, В.П. Толстых, Л.В. Цвирко. ФТП, 19(10), 1860 (1985)
  • D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 38, 1523 (1988)
  • Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1977)
  • G.H. Hastings, S.K. Esteicher, P.A. Fedders. Phys. Rev. B, 56, 1025 (1997)
  • А.Л. Асеев, Л.И. Федина, Д. Хеэль, Х. Барч. Скопления межузельных атомов в кремнии и германии (Новосибирск, Наука, 1991)
  • J.H. Lee, J.W. Corbett, N.N. Gerasimenko. Phys. Rev. B, 14, 4506 (1976)
  • А.В. Двуречинский, А.А. Каранович, Р. Гритцшель, Ф. Херрман, Р. Кеглер, А.В. Рыбин. ФТТ, 40(2), 217 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.