"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Модифицирование полупроводников пучками протонов О б з о р
Козловский В.В.1, Козлов В.А.2, Ломасов В.Н.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. A.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Выполнен анализ современных направлений модифицирования полупроводников пучками протонов: протонно-стимулированной диффузии, ионно-лучевого перемешивания и формирования пористых слоев. Показано, что анализируемый метод модифицирования (легирования) открывает новые возможности управления свойствами полупроводниковых материалов и создания приборов микро- и наноэлектроники на их основе по сравнению с традиционными методами легирования --- диффузионным, эпитаксиальным, ионно-имплантационным.
  • И.В. Васильева, Г.А. Ефремов, В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, В.С. Иванов. Радиационные процессы в технологии материалов и изделий электронной техники, под ред. В.С. Иванова, В.В. Козловского (М., Энергоатомиздат, 1997)
  • В.С. Вавилов, Б.М. Горин, Н.С. Динилин, А.Е. Кив, Ю.Л. Нуров, В.И. Шаховцов. Радиационные методы в твердотельной электронике (М., Наука, 1990)
  • Л.Ф. Захаренков, В.В. Козловский, Б.А. Шустров. ФТП, 26, 3 (1992)
  • L.F. Zakharenkov, V.V. Kozlovski. In: Semiconductor Technology: Processing and Novel Fabrication Techniques, ed. by M. Levinshtein, M. Shur (N.--Y., John Wiley \& Sons, 1997) Chap. 2, p. 17
  • Н.Б. Плешивцев, А.И. Бажин. Физика воздействия ионных пучков на материалы (М., Вузовская книга, 1998)
  • J. Lindhard, M. Scharff, H. Schiett. Kgl. Danske vid selskab. mat. fys. medd., 33, 3 (1963)
  • Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980)
  • Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками, под ред. А.А. Углова (М., Машиностроение, 1987). [Пер. с англ.: Surface modification and alloying by laser, ion and electron beams, ed. by J.M. Poate, G. Foti and D.C. Jacobson (N.--Y., Plenum Press, 1983)]
  • P. Baruch, C. Constantin, J.C. Pfister, R. Saintesprit. Disc. Far. Soc., 31, 86 (1961)
  • G.J. Dienes, A.C. Damask. J. Appl. Phys., 29, 1713 (1958)
  • P. Baruch. Inst. Phys. Conf. Ser., 31, 126 (1977)
  • Y. Morikawa, K. Yamamoto, K. Nagami. Appl. Phys. Lett., 36, 997 (1980)
  • Е.Д. Горнушкина, И.В. Кириллова, Р.Ш. Малкович. ФТТ, 24, 1088 (1982)
  • Т.Д. Джафаров. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках (М., Энергоатомиздат, 1991)
  • Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука. 1977)
  • G.D. Watkins. In: Effects des rayonnements sur les semiconductors, ed. by P. Baruch (Paris, Dunod, 1964) p. 97
  • V.V. Kozlovski, V.N. Lomasov, L.S. Vlasenko. Rad. Eff., 106, 37 (1988)
  • Г.А. Качурин, В.И. Ободников, В.Я. Принц, И.Е. Тысченко. ФТП, 28, 519 (1994)
  • Г.А. Качурин, Г.В. Гадияк, В.И. Шатров, И.Е. Тысченко. ФТА, 26, 1977 (1992)
  • В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, Г.М. Гурьянов, А.П. Коварский. ФТП, 16, 2089 (1982)
  • В.В. Козловский, В.Н. Ломасов. ЖТФ, 54, 1157 (1984)
  • В.В. Козловский, В.Н. Ломасов. ФТП, 19, 143 (1985)
  • В.В. Козловский, С.А. Мазуров, Б.Я. Бер, А.Л. Закгейм, Д.А. Зушинский, И.А. Козловская, И.В. Кочиев, Б.С. Явич. Письма ЖТФ, 19(23), 65 (1993)
  • В.Н. Абросимова, В.В. Козловский, Н.Н. Коробков, В.Н. Ломасов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 26, 488 (1990)
  • O.V. Alexandrov, V.V. Kozlovski, V.V. Popov, B.E. Samorukov. Phys. St. Sol. (a), 110, k61 (1988)
  • M.A. Betuganov, M.U. Digilov, V.I. Kosticov, M.A. Kumakhov. Phys. St. Sol. (a), 59(2), 835 (1980)
  • Ю.Н. Казаринов, В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, М.В. Питкевич. ФТП, 20, 1577 (1986)
  • E. Ibe. Nucl. Instr. Meth. B, 39, 148 (1989)
  • L.S. Hung, Q.Z. Hong, J.W. Mayer. Nucl. Instr. Meth. B, 37/38, 414 (1989)
  • J.W. Mayer, B.Y. Tsaur, S.S. Lau, L.S. Hung. Nucl. Instr. Meth., 182/183, 1 (1981)
  • D.L. Santes, J.P. de Souza, L. Amaral, H. Boudinov. Nucl. Instr. Meth. B, 103, 56 (1995)
  • L.S. Hung, J.W. Mayer, C.S. Pai, S.S. Law. J. Appl. Phys., 58, 1527 (1985)
  • В.В. Козловский, В.Н. Ломасов. Поверхность. Физика, химия, механика, N 3, 146 (1987)
  • В.Н. Ломасов. Высокочистые вещества, N 3, 57 (1992)
  • R. Leguay, A. Dunlop, F. Dunstetter. Nucl. Instr. Meth. B, 106, 28 (1995)
  • В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1981)
  • Ю.Н. Казаринов, В.Н. Ломасов, Б.А. Таллерчик, Э.Р. Катилене. Электрон. техн., сер. 6, Материалы, N 6(121), 9 (1983)
  • K. Neubeck, C.-E. Lefaucheur, H. Halm. Nucl. Instr. Meth. B, 106, 589 (1995)
  • В.В. Козловский, В.Н. Ломасов. ФТП, 18, 956 (1984)
  • В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, Г.М. Гурьянов, А.П. Коварский. ФТП, 18, 958 (1984)
  • И.А. Аброян, А.И. Андронов, А.И. Титов. Физические основы электронной и ионной технологии (М., Высш. шк., 1984)
  • S.E. Donnelly, A.A. Lucas, J.P. Vigneron, J.C. Rife. Rad. Eff., 78, 337 (1982)
  • S.E. Donnelly. Rad. Eff., 90, 1 (1985)
  • C.C. Griffioen, J.H. Evans, P.C. De Jong, A. Van Veen. Nucl. Instr. Meth. B., 27, 417 (1987)
  • V. Raineri, P.G. Fallica, G. Percolla, A. Battaglia, M. Barbagallo, S.U. Campisano. J. Appl. Phys., 78, 3727 (1995)
  • R. Tonini, F. Corni, S. Frabboni, G. Ottaviani, C.F. Cerofolini. J. Appl. Phys., 84, 4202 (1998)
  • D.M. Follstaedt. Appl. Phys. Lett., 62, 1116 (1993)
  • D.J. Eaglesham, A.E. White, L.C. Feldman, N. Moriya, D.C. Jacobson. Phys. Rev. Lett., 70, 1643 (1993)
  • S.M. Myers, D.M. Follstaedt, H.J. Stein, W.R. Wampler. Phys. Rev. B, 45, 3914 (1992)
  • C.F. Cerofolini, L. Meda, R. Balboni, F. Corni, S. Frabboni, G. Ottaviani, R. Tonini, M. Anderle, R. Canteri. Phys. Rev. B, 46, 2061 (1992)
  • R.N. Hall. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS--31, 320 (1984)
  • S.J. Jeng, G.S. Oehrlein. Appl. Phys. Lett., 50, 1912 (1987)
  • J. Wong-Leung, C.E. Ascheron, M. Petravic, R.G. Elliman, J.S. Williams. Appl. Phys. Lett., 66, 1231 (1995)
  • X. Lu, N.W. Cheung, M.D. Strathman, P.K. Chu, B. Doyle. Appl. Phys. Lett., 71, 1804 (1997)
  • M. Bruel. Electron. Lett., 31, 1201 (1995)
  • A.-J. Auberton-Herve. Sol. St. Technol., 37, 89 (1994)
  • S. Bengtsson. J. Electron. Mater., 21, 841 (1992)
  • C.M. Varma. Appl. Phys. Lett., 71, 3519 (1997)
  • W.K. Chu, R.H. Kastl, R.F. Lever, S.F. Mader, B.J. Masters. Phys. Rev. B, 16, 3851 (1977)
  • C.C. Criffoen, J.H. Evans, P.C.D. Jong, A. van Veen. Nucl. Instr. Meth. B, 27, 417 (1987)
  • Q.-Y. Tong, K. Gutjahr, S. Hopfe, U. Gosele, T.-H. Lee. Appl. Phys. Lett., 70, 1390 (1997)
  • A. Agarwal, T.E. Haynes, V.C. Venezia, O.W. Holland, D.J. Eaglesham. Appl. Phys. Lett., 72, 1086 (1998)
  • L.D. Cioccio, Y. Le Tiec, F. Letertre, C. Jaussand, M. Bruel. Electron. Lett., 32, 1144 (1996)
  • L.D. Cioccio, Y. Le Tiec, C. Jaussand, E. Hugonnard-Bruyere, M. Bruel. Mater. Sci. Forum, 264--268, 765 (1998)
  • Q.-Y. Tong, T.-H. Lee, L.-J. Huang, Y.-L. Chao, U. Gosele. Electron. Lett., 34, 407 (1998)
  • E. Jalaguir, B. Aspar, S. Pocas, J.F. Michaud, M. Zussy, A.M. Papon, M. Bruel. Electron. Lett., 34, 408 (1998)
  • H. Wong, N.W. Cheung, P.K. Chu. Appl. Phys. Lett., 52, 889 (1988)
  • M.H.F. Overwijk, J. Politiek, R.C.M. Kruif, P.C. Zalm. Nucl. Instr. Meth. B, 96, 257 (1995)
  • C.J. Barbero, J.W. Corbett, C. Deng, Z. Atzmon. J. Appl. Phys., 78, 3012 (1995)
  • W. Skorupa, R. Kogler, K. Schmalz, P. Gaworzewski, G. Morgenstren, H. Syhre. Nucl. Instr. Meth. B, 74, 70 (1993)
  • P.A. Stolk, J.L. Benton, D.J. Eaglesham, D.C. Jacobson, J.-Y. Cheng, J.M. Poate, S.M. Myers, T.E. Haynes. Appl. Phys. Lett., 68, 51 (1995)
  • S.M. Myers, D.M. Bishop, D.M. Follstaedt, H.J. Stein, W.R. Wampler. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 283, 549 (1993)
  • J. Wong-Leung, E. Nygen, J.S. Williams. Appl. Phys. Lett., 67, 416 (1995)
  • S.M. Myers, G.A. Petersen. Phys. Rev. B, 57, 7015 (1998)
  • S.A. McHugo, E.R. Weber, S.M. Myers, G.A. Petersen, J. Electrochem. Soc., 145, 1400 (1998)
  • S.A. McHugo, E.R. Weber, S.M. Myers, G.A. Petersen. Appl. Phys. Lett., 69, 3060 (1996)
  • S.J. Pearton, J.W. Corbett, M. Stavola. Hydrogen in Crystalline Semiconductors (Heidelberg, Springer Verlag, 1992)
  • S.M. Myers, D.M. Follstaedt, D.M. Bishop. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 316, 53 (1994)
  • S.M. Myers, G.A. Petersen, C.H. Seager. J. Appl. Phys., 80, 3717 (1996)
  • V.V. Kozlovski, L.F. Zakharenkov. Rad. Eff. Def. Sol., 138, 75 (1996)
  • V.V. Kozlovski, L.F. Zakharenkov, T.I. Kol'chenko, V.M. Lomako. Rad. Eff. Def. Sol., 138, 63 (1996)
  • В.В. Козловский. Поверхность, 8, 66 (1997)
  • В.А. Дидик, В.В. Козловский, Р.Ш. Малкович, Е.А. Скорятина. ФТТ, 40, 2189 (1998).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.