"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электронные свойства дефектов с переменной валентностью в кристаллических полупроводниках
Крайчинский А.Н.1, Шпинар Л.И.1, Ясковец И.И.1
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 17 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Исследованы электронные свойства дефектов, находящихся в различных пространственных конфигурациях со своим набором валентных связей. Исследование выполнено на основе анализа функционала энергии, в котором учтены упругая энергия в ангармоническом приближении, изменение электронного терма дефектной квазимолекулы, обусловленное локализацией электронов и энергия взаимодействия Хаббарда. Выделены два класса таких дефектов: дефекты с сильным и слабым электрон-атомным взаимодействием. В случае дефектов первого типа, характеризующихся положительной эффективной энергией корреляции, топология адиабатического потенциала не изменяется после электронной локализации. К этому классу дефектов относится пара атомов углерода (CiCs) и донорно-акцепторные пары в кристаллическом кремнии. Для этого дефекта вычислен эффективный уровень заполнения как функция параметров адиабатического потенциала. Существенным в свойствах дефектов второго типа является модификация первоначального двухъямного потенциала в одноямный после локализации носителей. В этом случае эффективная корреляционная энергия может быть как положительной, так и отрицательной. Анализ известных экспериментальных результатов дает основания полагать, что к этому классу дефектов принадлежит межузельный атом бора в кремнии. Используя экспериментальные данные Воткинса, вычислен адиабатический потенциал, в котором движется межузельный атом бора, а также энергии активации переходов между различными зарядовыми состояниями этого дефекта и эффективный уровень заполнения.
  • J.A. Van Vechten, C.D. Thurmond. Phys. Rev. B, 14(8), 3551 (1976)
  • G.D. Watkins. Physica B, 117--118, 9 (1983)
  • G.d. Watkins, J.R. Troxell. Phys. Rev. Lett., 44(9), 593 (1980)
  • R.D. Harris, J.L. Newton, G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 26(2), 1094 (1987)
  • K. Chantre, L.C. Kimerling. Proc. XIV Int. Conf of Defects in Semiconductors (Budapesht, 1988). [Mater. Sci. Forum, 38--41, 391 (1989)]
  • V.M. Siratskii, V.I. Shakhovtsov, V.L. Shindich, L.I. Shpinar, I.I. Yaskovets, 24(10), 1117 (1990)
  • C.A. Baraff, E.O. Kane, M. Shluter. Phys. Rev. B, 21(8), 3563 (1980)
  • М.И. Клингер. УФН, 145(1), 105 (1985)
  • M.I. Klinger. Phys. Report, 165(5--6), 275 (1988)
  • М.И. Клингер, В.Г. Карпов. ЖЭТФ, 82(5), 1687 (1982)
  • М.И. Клингер, Л.И. Шпинар, И.И. Ясковец. ФТТ, 28(2), 470 (1986)
  • В.В. Емцев, Т.В. Машовец, М.А. Маргарян. ФТП, 18(8), 1516 (1984)
  • Л.И. Шпинар, И.И. Ясковец, М.И. Клингер. ФТП, 24(7), 1153 (1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.