Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сверхизлучение в полупроводниках
1Microelectronics Research Center University of Texas at Austin, Burnet RD, Bldg. 160, Austin, TX,, USA
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 июня 1999 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.
Путем анализа спектров электролюминесценции исследованы зависимости характеристического времени сверхизлучения в лазерных гетероструктурах InGaAs / GaAs с квантовой ямой от тока накачки, от температуры и от поперечных размеров активной области. На базе простейших выражений теории сверхизлучения двухуровневых систем сделаны оценки числа диполей, формирующих импульс сверхизлучения. Сформулирована гипотеза о механизме сверхизлучения в полупроводниках.
- A.A. Belyanin, V.V. Kocharovsky, V1.V. Kocharovsky. Quantum Semiclass. Opt., 10, L13 (1998)
- D.G. Deppe. Phys. Rev. A, 54, 2506 (1996)
- П.П. Васильев. Квант. электрон., 24, 885 (1997)
- A.A. Belyanin, V.V. Kocharovsky, V1.V. Kocharovsky. Proc. 6th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 1998) p. 398
- F.T. Arecchi, E. Courtens. Phys. Rev. A, 2, 1730 (1970)
- M.F.H. Shuurmans, Q.H.F. Vrehen, D. Polder. Adv. At. Mol. Phys., 17, 167 (1981)
- R. Friedberg, S.R. Hartmann. Phys. Lett., 37A, 285 (1971)
- R.H. Dicke. Phys. Rev., 93, 99 (1954)
- А.И. Гуриев, А.В. Грудинин, А.Г. Дерягин, С.В. Зайцев, Д.В. Куксенков, В.И. Кучинский, Е.Л. Портной, И.Ю. Хрущев. Письма ЖТФ, 18(3), 38 (1992)
- E.M. Dianov, A.B. Grudinin, I.Yu. Khrushchev, D.V. Kuksenkov, E.L. Portnoi, S.V. Zaitsev. Soviet Lightwave Commun., 2, 31 (1992)
- А.М. Георгиевский, С.В. Зайцев. ПТЭ, 1, 132 (1996)
- S.V. Zaitsev, A.M. Georgievski. Proc. Int. Conf. SPIE on Optical Diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro-, and Quantum Electronics (Kiev, 1995) p. 319
- С.В. Зайцев, А.М. Георгиевский. ФТП, 32, 366 (1998)
- S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, M.P. Soshnikov, J.S. Massa, G.S. Buller. J. Appl. Phys., 84, 5441 (1998)
- П.Г. Елисеев, И.В. Акимова. ФТП, 32, 472, 478 (1998)
- А.М. Георгиевский, С.В. Зайцев, Н.Ю. Гордеев, В.И. Копчатов, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, П.С. Копьев. ФТП, 33, 847 (1999)
- А.В. Андреев, В.И. Емельянов, Ю.А. Ильинский. УФН, 131, 653 (1980)
- D.L. Huffaker, O. Baklenov, L.A. Graham, B.G. Streetman, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 70(18), 2356 (1997)
- A. Hariz, P. Daniel Dapkus, H.C. Lee, E.P. Menu, S.P. DenBaars. Appl. Phys. Lett., 54(7), 635 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
