"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние низкотемпературного перераспределения заряда на границе раздела Si / SiO2 на проводимость поверхностных электронных каналов
Бочкарева Н.И.1, Хорев С.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.

Температурное поведение электронной плотности на границе раздела Si / SiO2 изучено с помощью измерений высокочастотной проводимости краевых поверхностных электронных каналов, шунтирующих барьеры Шоттки в n-Si. Результаты объясняются в рамках модели, в которой "металлический" характер температурного поведения проводимости отражает перераспределение электронного заряда между окислом и решеткой кремния в окрестности собственных температур кислородной подсистемы окисла.
  1. E.H. Poindexter, C.F. Young, G.J. Gerardy. In: Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices, ed. by E. Garfunkel et al. (Kluwer Academic Publishers, Netherlands, 1998)
  2. J.M.M.de Nijs, K.G. Druijf, V.V. Afanas'ev, E. van der Drift, P. Balk. Appl. Phys. Lett., 65, 2428 (1994)
  3. S.V. Kravchenko, W.E. Mason, G.E. Bowker, J.E. Furneaux, V.M. Pudalov, M.D'Iorio. Phys. Rev. B, 51, 7038 (1995)
  4. B.L. Altshuler, D.L. Maslov. Phys. Rev. Lett., 82, 145 (1999)
  5. T. Ando, A.B. Fowler, F. Stern. Rev. Mod. Phys., 54, 437 (1982)
  6. K. Rais, G. Ghibaudo, F. Balestra. Phys. St. Sol. (a), 146, 853 (1994)
  7. А.В. Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников (М., Наука, 1971)
  8. С.И. Кириллова, М.Д. Моин, В.Е. Примаченко, С.В. Свечников, В.А. Чернобай. ФТП, 26, 1399 (1992)
  9. Ю.В. Дубровский, С.В. Морозов. Поверхность. Физика, химия, математика, N 9, 143 (1987)
  10. Н.И. Бочкарева, А.В. Клочков. ФТП, 32, 1432 (1998)
  11. Н.И. Бочкарева. ФТП, 25, 537 (1991)
  12. P. Deak, L.C. Snyder, J.W. Corbett. Phys. Rev. B, 45, 11 612 (1992)
  13. D. Schmeisser. Surf. Sci., 137, 197 (1984)
  14. A. Spitzer, H. Luth. Surf. Sci., 118, 136 (1982)
  15. P.A. Theil, T.E. Madey. Surf. Sci. Rep., 7, 211 (1987)
  16. Т.В. Ягодовская, Л.И. Некрасов. ЖФХ, 51, 2434 (1977)
  17. G.P. Johari, A. Hallbrucker, E.L. Mayer. J. Chem. Phys., 95, 2955 (1991)
  18. D.L. Griscom. Phys. Rev. B, 40, 4224 (1989)
  19. J.D. Jorgensen, B.W. Veal, A.P. Paulikas, L.J. Nowicki. G.W. Grabtree, H. Claus, W.K. Kwok. Phys. Rev. B, 41, 1863 (1990)
  20. M.S. Hegde, P. Ganguly. Phys. Rev. B, 38, 4557 (1988)
  21. И.Я. Дзялошинский. Письма ЖЭТФ, 49, 119 (1989)
  22. J.Konstantinovic, G. Parette, Z. Diordjevic. Sol. St. Commun., 70, 163 (1989)
  23. L.P. Khiznichenko, P.F. Kromer, D.K. Kaipnazarov, E. Otenyazov, D. Yusupova, L.G. Zotova. Phys. St. Sol., 21, 805 (1967)
  24. B.M. Mecs, A.S. Nowick. Appl. Phys. Lett., 8, 75 (1966)
  25. Y. Wang, H. Shen, J. Zhu, Z. Xu, M. Gu, Z. Niu, Z. Zhang. J. Phys. C, 20, L665 (1987)
  26. В.С. Постников, В.И. Кириллов, Ю.А. Капустин, В.С. Борисов. ФТТ, 27, 1906 (1985)
  27. А. Новик, Б. Берри. Релаксационные явления в кристаллах (М., Атомиздат, 1975)
  28. В.Н. Беломестных, О.Л. Хасанов, Ю. Кон-Сю. СФХМ, 2, 119 (1989)
  29. D.L. Griscom. J. Appl. Phys., 58, 2524 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.