"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические характеристики и структурные свойства омических контактов к эпитаксиальным слоям 4H-SiC с дырочной проводимостью
Василевский К.В.1, Zekentes K.2, Рендакова С.В.1, Никитина И.П.1, Бабанин А.И.1, Андреев А.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Microelectronics Research Group, Institute of Electronic Structure and Laser, FO.R.T.H., Heraklion, Crete, Greece
Поступила в редакцию: 22 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.

Эпитаксиальные пленки, выращенные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии, были использованы в качестве сильно легированных подконтактных слоев для формирования низкоомных контактов к 4H-SiC с дырочной проводимостью. Эти слои имели объемное удельное сопротивление ~ 0.02 Ом·см при концентрации атомов алюминия ~ 1.5· 1020 см-3. Отсутствие политипных включений и отличное кристаллическое качество сильно легированных подконтактных слоев было подтверждено рентгенодифракционными методами. Омические контакты с удельным сопротивлением менее 10-4Ом·см2 были изготовлены осаждением многослойной композиции металлов, содержащей Al и Ti, с последующим отжигом. Были исследованы структурные свойства и электрические характеристики полученных омических контактов.
  • L. Kassamakova, R. Kakanakov, N. Nordell, S. Savage. Mater. Sci. Forum, 264--268, 787 (1998)
  • N. Lundberg, M. Ostling. Sol. St. Electron., 39, 1559 (1996)
  • J. Crofton, P.A. Barnes, J.R. Williams, J.A. Edmond. Appl. Phys. Lett., 62, 384 (1993)
  • J. Crofton, L. Beyer, J.R. Williams, E.D. Luckowski, S.E. Mohney, J.M. Delucca. Sol. St. Electron., 41, 1725 (1997)
  • R.N. Hall. J. Appl. Phys., 29, 914 (1958)
  • M.M. Anikin, M.G. Rastegaeva, A.L. Syrkin, I.V. Chuiko. In: Amorphous and Crystalline Silicon Carbide III [Springer Proceedings in Physics 56] (Berlin, Springer Verlag, 1992) p. 183
  • Yu. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.D. Roenkov. In: Amorphous and Crystalline Silicon Carbide III [Springer Proceedings in Physics 56] (Berlin, Springer Verlag, 1992) p. 329
  • L. Spiegss, O. Nennewitz, V. Breternitz. Appl. Surf. Sci., 91, 347 (1995)
  • L. Spiegss, O. Nennewitz, J. Pezoldt. Inst. Phys. Conf., 142, 585 (1996)
  • L. Spiegss, O. Nennewitz, J. Pezoldt. Diam. Relat. Mater., 6, 1414 (1997)
  • K. Tone, S.R. Weiner, J.H. Zhao. Mater. Sci. Forum, 264--268, 689 (1998)
  • G. Pensl, V.V. Afanas'ev, M. Bassler, M. Schadt, T. Troffer, J. Heindl, H.P. Strunk, M. Maier, W.J. Choyke. Inst. Phys. Conf., 142, 275 (1995)
  • Z.C. Feng, I. Ferguson, R.A. Stall, K. Li, Y. Singh, K. Tone, J.H. Zhao, A.T.S. Wee, K.L. Tan, F. Adar, B. Lenian. Mater. Sci. Forum, 264--268, 693 (1998)
  • N. Nordell, S. Savage, A. Schoner. Inst. Phys. Conf., 142, 573 (1995)
  • S.V. Rendakova, V. Ivantsov, V.A. Dmitriev. Mater. Sci. Forum, 264--268, 163 (1998)
  • A.E. Nikolaev, S.V. Rendakova, I.P. Nikitina, K.V. Vassilevski, V.A. Dmitriev. Electron. Mater., 27, 288 (1998)
  • G. Boberg, L. Stolt, P.A. Tove, H. Norde. Physica Scripta, 24, 405 (1981)
  • М.А. Кривоглаз. Дифракция рентгеновских лучей и нейтронов в неидеальных кристаллах (Киев, Наук. думка, 1983) с. 325
  • R.N. Kutt, E.N. Mochov, A.S. Tregubova. Sol. St. Phys. 23, 3496 (1981)
  • J.M. Poate, K.N. Tu, J.W. Mayer. Thin films --- inter diffusion and reaction (A. Wiley--Interscience Publication, 1978)
  • T. Kimoto, A. Itoh, N. Inoue, O. Takemura, T. Yamamoto, T. Nakajima, H. Matsunami. Mater. Sci. Forum, 264--268, 675 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.