"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Electrons and phonons in quantum wells
Povzela J.1, Namaj\=unas A.1, Povzela K.1, Juciene V.1
1Semiconductor Physics Institute, Vilnius, Lithuania
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

The modulation of electron and polar optical phonon states in an AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well (QW) with an inserted thin AlAs barrier is considered. The OW width dependence of electron--phonon scattering rates are estimated. The great contribution to the change of electron subband population, photovoltaic effect and electron mobility in the QW gives the resonant intersubband scatteting of electrons by interface phonons. The decrease of electron mobility limited by polar optical phonon scattering with increasing carrier concentration in the QW is established. The conditions for the increase of mobility in the QW by inserting the AlAs barrier are found.
  • F.H. Julien, A. Sa'ar, J. Wang, J.-P. Leburton. Electron. Lett., 31, 838 (1995)
  • P. Boucaud, F.H. Julien, D.D. Yang, J.M. Lourtioz, E. Rosencher, P. Bois, J. Nagle. Appl. Phys. Lett., 57, 3 (1990)
  • J. Faist, F. Capasso, D. Sivco, C. Sirtori, A.L. Hutchinson, S.N.G. Chu, A.Y. Cho. Science, 264, 553 (1994)
  • B.F. Levine. J. Appl. Phys., 74, R1 (1993)
  • T. Tsuchiya, T. Ando. Phys. Rev. B, 48, 4599 (1993)
  • X.T. Zhu, H. Goronkin, G.N. Maracas, R. Droopad, M.A. Stroscio. Appl. Phys. Lett., 60, 2141 (1992)
  • I. Inoue, T. Matsuno. Phys. Rev. B, 47, 3771 (1993)
  • K. Yokoyama, K. Hess. Phys. Rev. B, 33, 5595 (1986)
  • N. Mori, T. Ando. Phys. Rev. B, 40, 6175 (1989)
  • H. Rucker, E. Molinary, P. Lugli. Phys. Rev. B, 45, 6747 (1992)
  • I. Lee, S.M. Goodnick, M. Gulia, E. Molinaty, P. Lugli. Phys. Rev. B, 51, 7046 (1995)
  • B.K. Ridley. Phys. Rev. B, 39, 5282 (1989)
  • J. Povzela, V. Junciene, K. Povzela. Semicond. Sci. Technol., 10, 1555 (1995)
  • X. Zianni, C.D. Simserides, G.P. Triberis. Phys. Rev. B, 55, 16 324 (1997)
  • J. Povzela, V. Juciene, A. Namaj\=unas, K. Povzela, V.G. Mokerov, Yu.V. Fedorov, V.E. Kaminskii, A.V. Hook. J. Appl. Phys., 82, 5564 (1997)
  • В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984) с. 50
  • J. Povzela, V. Juciene, A. Namaj\=unas, K. Povzela. J. Appl. Phys., 81, 1775 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.