"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Превращение структуры металл--окисел--кремний в резонансно-туннельную структуру с квазинульмерными квантованными состояниями
Карева Г.Г.1
1Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Структура металл--окисел--кремний превращена в наноструктуру с двойным барьером благодаря уменьшению таких ее размерных параметров как толщина диэлектрика и протяженность обедненной области пространственного заряда p-Si до нанометров. Реализовано резонансное туннелирование электронов при комнатной температуре через минизоны квантовой ямы приповерхностной обедненной области кремния, о чем свидетельствуют измеренные вольт-амперные характеристики. Количество особенностей доведено до 10 благодаря глубокой (более чем 1.1 эВ) квантовой яме. Максимальное отношение тока в пике к току в долине составляет 500.
  1. L.L. Chang, L. Esaki, R. Tsu. Appl. Phys. Lett., 24, 593 (1974)
  2. F. Capasso, K. Mohammed, A.Y. Cho. IEEE J. Quant. Electron., QE-22, 1853 (1986)
  3. L. Esaki. IEEE J. Quant. Electron., QE-22, 1611 (1986)
  4. S.L. Wu, C.L. Lee, T.E. Lei. Appl. Phys. Lett., 63, 24 (1993)
  5. E.H. Nicollian, R. Tsu. J. Appl. Phys., 74, 4020 (1993)
  6. F. Capasso, S. Sen, F. Beltram. High-Speed Semiconductor Devices (N.Y., Intersci. Publ., 1990)
  7. Г.Г. Карева. Патент РФ N 2062529 (1995)
  8. Г.Г. Карева. Письма ЖТФ, 23 (6), 71 (1997)
  9. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  10. B.W. Alphenaar, Z.A.K. Durrani, A.P. Heberie, M. Wagner. Appl. Phys. Lett., 66, 1234 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.