"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Превращение структуры металл--окисел--кремний в резонансно-туннельную структуру с квазинульмерными квантованными состояниями
Карева Г.Г.1
1Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Структура металл--окисел--кремний превращена в наноструктуру с двойным барьером благодаря уменьшению таких ее размерных параметров как толщина диэлектрика и протяженность обедненной области пространственного заряда p-Si до нанометров. Реализовано резонансное туннелирование электронов при комнатной температуре через минизоны квантовой ямы приповерхностной обедненной области кремния, о чем свидетельствуют измеренные вольт-амперные характеристики. Количество особенностей доведено до 10 благодаря глубокой (более чем 1.1 эВ) квантовой яме. Максимальное отношение тока в пике к току в долине составляет 500.
  • L.L. Chang, L. Esaki, R. Tsu. Appl. Phys. Lett., 24, 593 (1974)
  • F. Capasso, K. Mohammed, A.Y. Cho. IEEE J. Quant. Electron., QE-22, 1853 (1986)
  • L. Esaki. IEEE J. Quant. Electron., QE-22, 1611 (1986)
  • S.L. Wu, C.L. Lee, T.E. Lei. Appl. Phys. Lett., 63, 24 (1993)
  • E.H. Nicollian, R. Tsu. J. Appl. Phys., 74, 4020 (1993)
  • F. Capasso, S. Sen, F. Beltram. High-Speed Semiconductor Devices (N.Y., Intersci. Publ., 1990)
  • Г.Г. Карева. Патент РФ N 2062529 (1995)
  • Г.Г. Карева. Письма ЖТФ, 23 (6), 71 (1997)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  • B.W. Alphenaar, Z.A.K. Durrani, A.P. Heberie, M. Wagner. Appl. Phys. Lett., 66, 1234 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.