"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Транспорт свободных ионов в слое диэлектрика и эффекты электронно-ионного обмена у межфазной границы диэлектрик--полупроводник при термостимулированной ионной деполяризации кремниевых МОП структур
Гольдман Е.И.1, Ждан А.Г.1, Чучева Г.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 25 января 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Исследуется природа токов термостимулированной деполяризации в кремниевых МОП структурах. В основе анализа --- экспериментально установленная независимость энергии активации тока деполяризации в области его начального нарастания от величины деполяризующего напряжения и обнаруженное ранее явление образования у границы раздела диэлектрик--полупроводник нейтральных ассоциатов ион + электрон. Рассматриваются транспорт свободных ионов в слое диэлектрика (при этом время пролета имеет термоактивационный характер) и обменные электронно-ионные процессы у межфазной границы Si--SiO2, включающие туннельную ионизацию (распад) нейтральных ассоциатов. Коэффициенты ионного переноса в слоях SiO2, найденные по кривым термостимулированной деполяризации в рамках развитых представлений, хорошо согласуются с данными независимых экспериментов.
  • G.S. Horner, M. Kleefstra, T.G. Miller, M.A. Peters. Sol. St. Technol., N 6, 79 (1995)
  • Г.Я. Красников. Электрон. техн., Сер. 3, N 1, 67 (1996)
  • M. Lee, C.H. Lin, B.H. Lei, C.D. Yang. Japan. J. Appl. Phys., 37, L53 (1998)
  • Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 6, 110 (1997)
  • Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 31, 1468 (1997)
  • Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 33, 933 (1999)
  • Ю.А. Гороховатский, Г.А. Бордовский. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков (М., Наука, 1991)
  • T.W. Hickmott. J. Appl. Phys., 46, 2583 (1975)
  • M.R. Boudry, J.P. Stagg. J. Appl. Phys., 50, 942 (1979)
  • T. Hino, K. Yamashita. J. Appl. Phys., 50, 4879 (1979)
  • K. Yamashita, M. Iwamoto, T. Hino. J. Appl. Phys., 52, 1429 (1981)
  • I.P. Stagg, M.R. Bodry. J. Appl. Phys., 52, 885 (1981)
  • M.W. Hillen, D.G. Hemmes. Sol. St. Electron., 24, 773 (1981)
  • C.Choquet, C. Plossu, M. Berenguer, B. Balland. Thin Sol. Films, 167, 45 (1988)
  • J.F. Verwey, E.A. Amerasekera, J. Bisschop. Rep. Prog. Phys., 53, 1297 (1990)
  • А.Г. Ждан, Ю.В. Маркин. ФТП, 28, 756 (1994)
  • В.В. Антонов-Романовский. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров (М., Наука, 1966)
  • K.H. Nickolas, J. Woods. Brit. J. Appl. Phys., 15, 783 (1964)
  • R. Chen, Y. Kirsh. Analysis of thermally stimulated processes (N.Y., Pergamon Press, 1981)
  • E.I. Goldman, A.G. Zhdan. Semicond. Sci. Technol., 5, 675 (1990)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
  • A. Harstein, A.B. Fowler. Surf. Sci., 73, 19 (1978)
  • D.J. DiMaria. J. Appl. Phys., 52, 7251 (1981)
  • И.П. Звягин. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках (М., Изд-во МГУ, 1984)
  • В.И. Антоненко, А.Г. Ждан, П.С. Сульженко. ФТП, 22, 756 (1988)
  • Е.И. Гольдман. ФТП, 26, 766 (1992)
  • Е.И. Гольдман. ФТП, 31, 43 (1997)
  • L.I. Grossweiner. J. Appl. Phys., 24, 1306 (1953)
  • А.Г. Ждан, Н.А. Лушников. ФТП, 16, 793 (1982)
  • А.Г. Ждан, В.Б. Сандомирский, А.Д. Ожередов, Г.Н. Яковлева. ФТП, 3, 1755 (1969)
  • S.R. Hofstein. Appl. Phys. Lett., 10(10), 291 (1967)
  • J.P. Stagg. Appl. Phys. Lett., 31(8), 532 (1977)
  • В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978)
  • В.М. Колешко, П.П. Гойденко, Л.Д. Буйко. Контроль в технологии микроэлектроники (Минск, Наука и техника, 1979)
  • М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  • S.R. Hofstein. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-13, 222 (1966)
  • G. Greeuw, J.F. Verwey. J. Appl. Phys., 56(8), 2218 (1984)
  • E.H. Snow, A.S. Grove, B.E. Deal, C.T. Sah. J. Appl. Phys., 36(5), 1664 (1965)
  • R.J. Kriegler, T.F. Devenyi. Thin Sol. Films, 36, 435 (1976)
  • В.Н. Вертопрахов, Б.М. Кучумов, Е.Г. Сальман. Строение и свойства структур Si--SiO-=SUB=-2-=/SUB=---M (Новосибирск, Наука, 1981)
  • У.А. Плискин, Д.Р. Керр, Дж.А. Перри. В кн.: Физика тонких пленок (М., Мир, 1970) вып. 4, с. 303
  • M. Kuch, D.J. Silversmith. J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Sci., N 6, 966 (1971)
  • M.L. Reed. Semicond. Sci. Technol., 4, 980 (1989)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.