"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние внешнего электрического поля и энергии облучения на эффективность образования пар Френкеля в кристаллах кремния
Башелейшвили З.В.1, Пагава Т.А.1
1Грузинский технический университет, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 30 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Путем локального облучения p-Si и n-Si с последующим измерением объемной фотоэдс вдоль образца показано, что энергия кулоновского взаимодействия между разноименно заряженными компонентами пар Френкеля ничтожно мала по сравнению с энергией, переданной атому кремния при облучении n-Si электронами с энергией (6/8) МэВ. Высказано предположение, что при облучении n-Si электронами с энергией 8 МэВ каскадный механизм дефектообразования превалирует над диффузионным.
  • В.С. Вавилов. Действие излучения на полупроводники (М., Наука, 1963)
  • Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. проф. Л.С. Смирнова (Новосибирск, 1977)
  • В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Наука, 1981)
  • J.W. Corbett. Radiation Effect in Semiconductors (1976) p. 1
  • Л.С. Милевский, В.С. Гарнык. ФТП, 13(7), 1369 (1979)
  • В.В. Емцев, Т.В. Машовец, Е.Х. Назарян. ФТП, 16(4), 687 (1982)
  • З.В. Башелейшвили, Т.Л. Бжалава, Т.А. Пагава, В.В. Санадзе. Сообщения АН ГССР, 116 (2), 297 (1984)
  • П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 18 (2), 345 (1984)
  • П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. Электрон. техн., сер. 6, N 2, 38 (1982)
  • З.В. Башелейшвили, В.С. Гарнык, В.С. Горин, Т.А. Пагава. ФТП, 18, (9), 1714 (1984)
  • Г.М. Иванов, Н.Н. Сирота. Радиационные дефекты в полупроводниках (Минск, 1972) с. 56
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.