"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение энергетических уровней элементарных первичных дефектов в кремнии
Лукьяница В.В.1
1Минский государственный медицинский институт, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 7 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Проведены эксперименты по определению энергетического спектра уровней элементарных первичных дефектов в запрещенной зоне кремния. В основе их лежит нахождение зависимости скорости прямой аннигиляции первичных дефектов от их зарядового состояния. Результаты получены из совместного анализа состояний атомной и электронной подсистем кристалла при вариациях условий облучения его высокоэнергетическими частицами. Установлено, что элементарные первичные дефекты имеют энергетические уровни вблизи Ec-0.28 эВ, Ec-0.44 эВ, Ec-0.65 эВ и Ec-0.86 эВ.
  1. G.D. Watkins. Deep Levels in Semiconductors (London--N.Y.--Tokyo--Toronto, 1986)
  2. В.А. Пантелеев, С.Н. Ершов, В.В. Черняховский, С.Н. Нагорных. Письма ЖЭТФ, 23, 688 (1976)
  3. В.В. Емцев, Т.В. Машовец, В.В. Михнович. ФТП, 26, 22 (1992)
  4. В.В. Емцев, Т.В. Машовец, В.В. Михнович. ФТП, 27, 708 (1993)
  5. П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 18, 345 (1984)
  6. П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 20, 742 (1986)
  7. Физические процессы в облученных полупроводниках (Новосибирск, Наука, 1977), с. 153
  8. G.D. Watkins. Conf. ser. N 23 Inst. Phys. "Lattice Defects in Semiconductors" (London--Bristol, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.