"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффективное время жизни носителей заряда в варизонных структурах на основе CdHgTe
Осадчий В.М.1, Сусляков А.О.1, Васильев В.В.1, Дворецкий С.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 5 мая 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Проведены расчеты эффективного времени жизни носителей заряда в варизонных структурах из n-CdHgTe с учетом оже-рекомбинации и рекомбинации на дислокациях. Показано, что введение варизонных широкозонных слоев позволяет исключить влияние поверхностной рекомбинации и получить высокие эффективные времена жизни даже при высоких плотностях дислокаций (выше 107 см-2). Получено согласие измеренных и рассчитанных времен жизни носителей заряда в варизонных структурах, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии.
  • R. Pal, R.K. Bhan, K.C. Chhabra, O.P. Agnihotri. Semicond. Sci. Technol., 11, 231 (1996)
  • C.A. Musca, J.F. Siliquini, K.A. Fynn, B.D. Nener, L. Faraone, S.J.C. Irvine. Semicond. Sci. Technol., 11, 1912 (1996)
  • V.N. Ovsyuk, A.O. Suslyakov, T.I. Zakharyash, S.A. Studenikin, V.V. Vasilyev, Yu.G. Sidorov, S.A. Dvoretsky, V.S. Varavin, N.N. Mikhailov, V.I. Liberman. Proc. SPIE, 2746, 277 (1996)
  • D.K. Arch, R.A. Wood, D.L. Smith. J. Appl. Phys., 58, 2360 (1985)
  • R.D. Rajavel, D.M. Jamba, O.K. Wu, J.E. Jensen, J.A. Wilson, E.A. Patten, K. Kosai, P. Goetz, G.R. Chapman, W.A. Radford. J. Cryst. Growth, 175/176, 653 (1997)
  • S.H. Shin, J.M. Arias, M. Zandian, J.G. Pasko, R.E. DeWames. Appl. Phys. Lett., 59, 2718 (1991)
  • L. He, J.R. Yang, S.L. Wang, S.P. Guo, M.F. Yu, X.Q. Chen, W.Z. Fang, V.M. Qiao, Q.Y. Zhang, R.J. Ding, T.L. Xin. J. Cryst. Growth, 175/176, 677 (1997)
  • H.F. Matare. Defect Electronics in Semiconductors (Wiley, N.Y.--London, 1971)
  • T. Yamamoto, Y. Miyamoto, K. Tanikawa. J. Cryst. Growth, 72, 270 (1985).
  • В.Н. Давыдов, Е.А. Лоскутова, И.И. Фефелова. Микроэлектроника, 15, 455 (1986)
  • О.В. Константинов, Г.В. Царенков. ФТП, 10, 720 (1976)
  • G.L. Hansen, J.L. Schmidt. J. Appl. Phys., 54, 1639 (1983)
  • E. Finkman, S.E. Shachman. J. Appl. Phys., 56, 2896 (1984)
  • J.P. Rosbeck, R.E. Starr, S.L. Price, K.J. Riley. J. Appl. Phys., 53, 6430 (1982)
  • W.W. Anderson. Infr. Phys., 20, 363 (1980)
  • A. Rogalski, J. Piotrowski. Prog. Quant. Electron., 12, 87 (1988)
  • A.R. Beattie, P.T. Landsberg. Proc. Royal Soc., A249, 16 (1959)
  • А.А. Самарский, А.В. Гулин. Численные методы (М., Наука, 1989)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.